基于Si衬底上外延AlGaN/GaN异质结器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510219167.5

申请日：

2025-02-26

公开(公告)号：

CN120224727A

公开(公告)日：

2025-06-27

发明(设计)人：

万坤赖鸿燕黄永

申请人：

西安电子科技大学芜湖研究院西安电子科技大学

申请人地址：

241002 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/815 H10D62/82 H01L21/02

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

王萌

法律状态：

公开

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-27	公开	公开
2025-07-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250226

共 50 条

[1]

基于Si衬底AlGaN/GaN异质结基的增强型HEMT器件 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN206697485U ,2017-12-01

[2]

基于Si衬底AlGaN/GaN异质结基的增强型HEMT器件及其制造方法 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN106711212B ,2017-05-24

[3]

基于SiC衬底上诱导成核的AlGaN/GaN异质结制备方法 [P].

许晟瑞 ;

杨赫 ;

许钪 ;

卢灏 ;

陶鸿昌 ;

张涛 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN118016530A ,2024-05-10

[4]

基于Si衬底的GaN外延结构及其制备方法 [P].

邓旭光 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

范亚明 ;

付凯 ;

于国浩 ;

张志利 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN106684139A ,2017-05-17

[5]

基于衬底处理的单晶金刚石上AlGaN/GaN异质结及制备方法 [P].

许晟瑞 ;

高源 ;

王心颢 ;

王宇轩 ;

张涛 ;

张金凤 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN115036362A ,2022-09-09

[6]

AlGaN/GaN异质结增强型器件及其制作方法 [P].

王冲 ;

郝跃 ;

何云龙 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

张进城 .

中国专利 :CN102938413A ,2013-02-20

[7]

基于Si衬底的GaN基射频器件外延结构 [P].

王洪 ;

周泉斌 .

中国专利 :CN208368514U ,2019-01-11

[8]

Si衬底AlN模板的制备方法及Si衬底GaN外延结构的制备方法 [P].

刘志宏 ;

刘俊伟 ;

张进成 ;

郝璐 ;

宋昆璐 ;

周弘 ;

赵胜雷 ;

张雅超 ;

张苇杭 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111640650A ,2020-09-08

[9]

一种高线性AlGaN/GaN异质结的外延结构及外延方法 [P].

李传皓 ;

李忠辉 ;

彭大青 ;

杨乾坤 ;

张东国 .

中国专利 :CN115332074A ,2022-11-11

[10]

基于Si衬底外延SiC基GaN HEMT的工艺方法 [P].

林书勋 .

中国专利 :CN106981423A ,2017-07-25

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