背栅全控型AlGaN/GaN异质结增强型功率HEMT器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110084430.6

申请日：

2021-01-21

公开(公告)号：

CN112768508A

公开(公告)日：

2021-05-07

发明(设计)人：

何云龙马晓华杨凌王冲郑雪峰郝跃

申请人：

申请人地址：

710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2920 H01L29423 H01L29778 H01L21335

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

刘长春

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-07	公开	公开
2021-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210121

共 50 条

[1]

环栅增强型AlGaN/GaN功率HEMT器件及其制备方法 [P].

马晓华 ;

何云龙 ;

杨凌 ;

张濛 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112838120A ,2021-05-25

[2]

基于Si衬底AlGaN/GaN异质结基的增强型HEMT器件 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN206697485U ,2017-12-01

[3]

增强型AlGaN/GaN HEMT器件的制备方法 [P].

张晓东 ;

范亚明 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN104465403A ,2015-03-25

[4]

基于Si衬底AlGaN/GaN异质结基的增强型HEMT器件及其制造方法 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN106711212B ,2017-05-24

[5]

环形MIS栅增强型AlGaN沟道异质结功率器件及其制备方法 [P].

何云龙 ;

马晓华 ;

赵垚澎 ;

王冲 ;

郑雪峰 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112951899A ,2021-06-11

[6]

增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

邱士起 ;

程永健 ;

李家辉 ;

姜奥旋 ;

马飞 .

中国专利 :CN119743971A ,2025-04-01

[7]

一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

王颖 ;

冯博明 ;

黄火林 ;

曹菲 .

中国专利 :CN119364828A ,2025-01-24

[8]

AlGaN/GaN异质结增强型器件及其制作方法 [P].

王冲 ;

郝跃 ;

何云龙 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

张进城 .

中国专利 :CN102938413A ,2013-02-20

[9]

环栅全控型AlGaN/GaN毫米波HEMT器件及其制备方法 [P].

马晓华 ;

何云龙 ;

郝跃 ;

杨凌 ;

王冲 ;

郑雪峰 .

中国专利 :CN112838121A ,2021-05-25

[10]

加栅场板增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103996707A ,2014-08-20

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