环形MIS栅增强型AlGaN沟道异质结功率器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110083053.4

申请日：

2021-01-21

公开(公告)号：

CN112951899A

公开(公告)日：

2021-06-11

发明(设计)人：

何云龙马晓华赵垚澎王冲郑雪峰郝跃

申请人：

申请人地址：

710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2910 H01L2920 H01L29423 H01L21336 H01L2978

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

刘长春

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-11	公开	公开
2021-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210121

共 50 条

[1]

背栅全控型AlGaN/GaN异质结增强型功率HEMT器件及制备方法 [P].

何云龙 ;

马晓华 ;

杨凌 ;

王冲 ;

郑雪峰 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112768508A ,2021-05-07

[2]

AlGaN/GaN异质结增强型器件及其制作方法 [P].

王冲 ;

郝跃 ;

何云龙 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

张进城 .

中国专利 :CN102938413A ,2013-02-20

[3]

环栅增强型AlGaN/GaN功率HEMT器件及其制备方法 [P].

马晓华 ;

何云龙 ;

杨凌 ;

张濛 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112838120A ,2021-05-25

[4]

一种具有超结-AlGaN异质结复合栅增强型HEMT及其制备方法 [P].

王冲 ;

丁小龙 ;

马晓华 ;

刘凯 ;

张文韬 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120417423A ,2025-08-01

[5]

一种具有P型栅的增强型MIS栅控功率器件 [P].

易波 ;

张芷宁 ;

徐艺 .

中国专利 :CN115548107A ,2022-12-30

[6]

基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件 [P].

沈玲燕 ;

程新红 ;

郑理 ;

张栋梁 ;

王谦 ;

顾子悦 ;

俞跃辉 .

中国专利 :CN207938616U ,2018-10-02

[7]

原位SiN帽层AlGaN/GaN异质结增强型器件及其制作方法 [P].

王冲 ;

何云龙 ;

郝跃 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

张进城 .

中国专利 :CN102945860A ,2013-02-27

[8]

基于Si衬底AlGaN/GaN异质结基的增强型HEMT器件 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN206697485U ,2017-12-01

[9]

基于Si衬底AlGaN/GaN异质结基的增强型HEMT器件及其制造方法 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN106711212B ,2017-05-24

[10]

一种异质结沟槽T型栅功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

赵淑婷 ;

元磊 ;

张玉明 .

中国专利 :CN114725220B ,2025-12-05

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