一种具有P型栅的增强型MIS栅控功率器件

被引：0

申请号：

CN202211249368.2

申请日：

2022-10-12

公开(公告)号：

CN115548107A

公开(公告)日：

2022-12-30

发明(设计)人：

易波张芷宁徐艺

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2949

IPC分类号：

H01L2978 H01L2134

代理机构：

电子科技大学专利中心 51203

代理人：

甘茂

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-30	公开	公开
2023-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/49 申请日:20221012

共 50 条

[1]

一种具有P型栅的增强型GaN器件 [P].

易波 ;

徐艺 ;

张芷宁 .

中国专利 :CN115548106A ,2022-12-30

[2]

p型栅增强型HEMT器件 [P].

张宝顺 ;

徐宁 ;

杜仲凯 .

中国专利 :CN208819832U ,2019-05-03

[3]

P型栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

谢勇 .

中国专利 :CN115312599A ,2022-11-08

[4]

一种增强型MIS-GaN器件 [P].

易波 .

中国专利 :CN114520262A ,2022-05-20

[5]

一种高耐压、增强型MIS结构P-GaN栅的垂直HEMT器件 [P].

尹以安 ;

邹炳志 ;

王进懿 .

中国专利 :CN220984533U ,2024-05-17

[6]

一种实现p型栅增强型HEMT器件的方法 [P].

李国强 ;

孙佩椰 ;

万利军 ;

阙显沣 ;

姚书南 ;

梁敬晗 .

中国专利 :CN111081545A ,2020-04-28

[7]

一种栅控型功率器件 [P].

刘剑 ;

郑泽人 ;

龚大卫 ;

王玉林 .

中国专利 :CN210245507U ,2020-04-03

[8]

环形MIS栅增强型AlGaN沟道异质结功率器件及其制备方法 [P].

何云龙 ;

马晓华 ;

赵垚澎 ;

王冲 ;

郑雪峰 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112951899A ,2021-06-11

[9]

结型栅-漏功率器件 [P].

毛维 ;

高北鸾 ;

杨翠 ;

马佩军 ;

张金风 ;

郑雪峰 ;

王冲 ;

张进成 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111863950A ,2020-10-30

[10]

增强型HEMT器件的复合栅结构及其器件 [P].

赵起越 ;

张力 .

中国专利 :CN121240506A ,2025-12-30

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