基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201820359523.9

申请日：

2018-03-16

公开(公告)号：

CN207938616U

公开(公告)日：

2018-10-02

发明(设计)人：

沈玲燕程新红郑理张栋梁王谦顾子悦俞跃辉

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L21335

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

罗泳文

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-02	授权	授权

共 50 条

[1]

基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件及制作方法 [P].

沈玲燕 ;

程新红 ;

郑理 ;

张栋梁 ;

王谦 ;

顾子悦 ;

俞跃辉 .

中国专利 :CN110277445B ,2024-08-20

[2]

基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件及制作方法 [P].

沈玲燕 ;

程新红 ;

郑理 ;

张栋梁 ;

王谦 ;

顾子悦 ;

俞跃辉 .

中国专利 :CN110277445A ,2019-09-24

[3]

p-GaN基增强型HEMT器件 [P].

金峻渊 ;

魏进 .

中国专利 :CN108511522A ,2018-09-07

[4]

基于鳍形栅结构的p-GaN/AlGaN/GaN增强型器件及其制作方法 [P].

何云龙 ;

马晓华 ;

王冲 ;

郑雪峰 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111029404A ,2020-04-17

[5]

一种双沟道增强型GaN功率器件 [P].

刘勇 ;

刘家才 ;

罗鹏 ;

朱仁强 ;

秦尧 .

中国专利 :CN222692198U ,2025-03-28

[6]

GaN基的p-GaN增强型HEMT器件及其制作方法 [P].

赵杰 ;

付凯 ;

宋亮 ;

郝荣晖 ;

陈扶 ;

于国浩 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN109888008A ,2019-06-14

[7]

增强型GaN功率器件 [P].

魏进 ;

杨俊杰 .

中国专利 :CN119342873A ,2025-01-21

[8]

一种p-GaN增强型器件制备方法 [P].

武乐可 ;

范晓成 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN115579290A ,2023-01-06

[9]

一种SOI基p-GaN增强型GaN功率开关器件的制备方法 [P].

郑理 ;

游晋豪 ;

程新红 ;

俞跃辉 .

中国专利 :CN111739801A ,2020-10-02

[10]

基于In组分调控InGaN的增强型GaN功率器件 [P].

崔鹏 ;

孙久继 ;

韩吉胜 ;

汉多科·林纳威赫 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN118099207B ,2024-07-12

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