一种低电流崩塌的硅基GaN射频外延结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311398624.9

申请日：

2023-10-26

公开(公告)号：

CN117457715A

公开(公告)日：

2024-01-26

发明(设计)人：

王洪聂祚荣王楷马啸

申请人：

中山市华南理工大学现代产业技术研究院华南理工大学

申请人地址：

528436 广东省中山市火炬开发区中心城区祥兴路6号212房

IPC主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

C30B29/40 C30B25/18 C30B25/16 H01L29/20 H01L29/205 H01L29/207 H01L29/778 H01L21/02

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

江裕强

法律状态：

公开

国省代码：

广东省广州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-26	公开	公开
2024-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20231026

共 50 条

[1]

一种低电流崩塌的硅基GaN射频外延结构 [P].

王洪 ;

聂祚荣 ;

王楷 ;

马啸 .

中国专利 :CN223567987U ,2025-11-18

[2]

一种基于Si衬底的GaN基射频器件外延结构及其制造方法 [P].

王洪 ;

周泉斌 .

中国专利 :CN108695385B ,2024-04-05

[3]

一种基于Si衬底的GaN基射频器件外延结构及其制造方法 [P].

王洪 ;

周泉斌 .

中国专利 :CN108695385A ,2018-10-23

[4]

一种硅基GaN外延结构 [P].

陈一峰 ;

陈汝钦 .

中国专利 :CN205385025U ,2016-07-13

[5]

一种硅基GaN薄膜及其外延生长方法 [P].

马金榜 ;

张雅超 ;

李一帆 ;

姚一昕 ;

张进成 ;

马佩军 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113921376A ,2022-01-11

[6]

基于Si衬底的GaN基射频器件外延结构 [P].

王洪 ;

周泉斌 .

中国专利 :CN208368514U ,2019-01-11

[7]

一种硅基GaN外延生长结构 [P].

罗锦贵 .

中国专利 :CN203367337U ,2013-12-25

[8]

一种基于Si衬底的GaN基高压HEMT器件外延结构及其制造方法 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN107068750B ,2024-04-19

[9]

一种基于Si衬底的GaN基高压HEMT器件外延结构及其制造方法 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN107068750A ,2017-08-18

[10]

一种带有阶梯势垒层的硅基GaN外延结构及其制备方法 [P].

王洪 ;

刘鸿鑫 ;

王楷 .

中国专利 :CN117497562A ,2024-02-02

← 1 2 3 4 5 →