一种硅基GaN外延结构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201620035500.3
申请日
2016-01-14
公开(公告)号
CN205385025U
公开(公告)日
2016-07-13
发明(设计)人
陈一峰 陈汝钦
申请人
申请人地址
610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
代理机构
成都华风专利事务所(普通合伙) 51223
代理人
胡川
法律状态
授权
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种硅基GaN外延生长结构 [P]. 
罗锦贵 .
中国专利 :CN203367337U ,2013-12-25
[2]
一种低电流崩塌的硅基GaN射频外延结构 [P]. 
王洪 ;
聂祚荣 ;
王楷 ;
马啸 .
中国专利 :CN223567987U ,2025-11-18
[3]
一种GaN基外延结构 [P]. 
房育涛 ;
林志东 ;
张恺玄 ;
刘波亭 .
中国专利 :CN212010976U ,2020-11-24
[4]
GaN基LED外延结构 [P]. 
刘恒山 ;
陈立人 ;
冯猛 .
中国专利 :CN204809246U ,2015-11-25
[5]
GaN基LED外延结构 [P]. 
刘恒山 ;
刘慰华 ;
冯猛 ;
陈伟 ;
陈立人 .
中国专利 :CN205092260U ,2016-03-16
[6]
一种GaN基LED外延结构 [P]. 
冯猛 ;
陈立人 ;
蔡睿彦 .
中国专利 :CN204289495U ,2015-04-22
[7]
一种基于硅衬底的GaN HEMT外延结构 [P]. 
陈振 .
中国专利 :CN115663020A ,2023-01-31
[8]
一种基于硅衬底的GaN HEMT外延结构 [P]. 
陈振 .
中国专利 :CN115663020B ,2024-12-20
[9]
一种GaN基HEMT外延片 [P]. 
姚力军 ;
费磊 ;
郭付成 ;
边逸军 ;
左万胜 .
中国专利 :CN223515236U ,2025-11-04
[10]
具有PN结的GaN外延结构 [P]. 
陈一峰 ;
陈汝钦 .
中国专利 :CN104992964A ,2015-10-21