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一种硅基GaN外延结构
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201620035500.3
申请日
:
2016-01-14
公开(公告)号
:
CN205385025U
公开(公告)日
:
2016-07-13
发明(设计)人
:
陈一峰
陈汝钦
申请人
:
申请人地址
:
610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
代理机构
:
成都华风专利事务所(普通合伙) 51223
代理人
:
胡川
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2016-07-13
授权
授权
共 50 条
[1]
一种硅基GaN外延生长结构
[P].
罗锦贵
论文数:
0
引用数:
0
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0
罗锦贵
.
中国专利
:CN203367337U
,2013-12-25
[2]
一种低电流崩塌的硅基GaN射频外延结构
[P].
王洪
论文数:
0
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0
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0
机构:
中山市华南理工大学现代产业技术研究院
中山市华南理工大学现代产业技术研究院
王洪
;
聂祚荣
论文数:
0
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0
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0
机构:
中山市华南理工大学现代产业技术研究院
中山市华南理工大学现代产业技术研究院
聂祚荣
;
王楷
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0
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0
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0
机构:
中山市华南理工大学现代产业技术研究院
中山市华南理工大学现代产业技术研究院
王楷
;
马啸
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中山市华南理工大学现代产业技术研究院
中山市华南理工大学现代产业技术研究院
马啸
.
中国专利
:CN223567987U
,2025-11-18
[3]
一种GaN基外延结构
[P].
房育涛
论文数:
0
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0
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房育涛
;
林志东
论文数:
0
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林志东
;
张恺玄
论文数:
0
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0
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张恺玄
;
刘波亭
论文数:
0
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0
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0
刘波亭
.
中国专利
:CN212010976U
,2020-11-24
[4]
GaN基LED外延结构
[P].
刘恒山
论文数:
0
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0
刘恒山
;
陈立人
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陈立人
;
冯猛
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0
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冯猛
.
中国专利
:CN204809246U
,2015-11-25
[5]
GaN基LED外延结构
[P].
刘恒山
论文数:
0
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刘恒山
;
刘慰华
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刘慰华
;
冯猛
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冯猛
;
陈伟
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陈伟
;
陈立人
论文数:
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陈立人
.
中国专利
:CN205092260U
,2016-03-16
[6]
一种GaN基LED外延结构
[P].
冯猛
论文数:
0
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0
冯猛
;
陈立人
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0
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0
陈立人
;
蔡睿彦
论文数:
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0
蔡睿彦
.
中国专利
:CN204289495U
,2015-04-22
[7]
一种基于硅衬底的GaN HEMT外延结构
[P].
陈振
论文数:
0
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0
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0
陈振
.
中国专利
:CN115663020A
,2023-01-31
[8]
一种基于硅衬底的GaN HEMT外延结构
[P].
陈振
论文数:
0
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0
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0
机构:
江苏镓宏半导体有限公司
江苏镓宏半导体有限公司
陈振
.
中国专利
:CN115663020B
,2024-12-20
[9]
一种GaN基HEMT外延片
[P].
姚力军
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
晶丰芯驰(上海)半导体科技有限公司
晶丰芯驰(上海)半导体科技有限公司
姚力军
;
费磊
论文数:
0
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机构:
晶丰芯驰(上海)半导体科技有限公司
晶丰芯驰(上海)半导体科技有限公司
费磊
;
郭付成
论文数:
0
引用数:
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机构:
晶丰芯驰(上海)半导体科技有限公司
晶丰芯驰(上海)半导体科技有限公司
郭付成
;
边逸军
论文数:
0
引用数:
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机构:
晶丰芯驰(上海)半导体科技有限公司
晶丰芯驰(上海)半导体科技有限公司
边逸军
;
左万胜
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
晶丰芯驰(上海)半导体科技有限公司
晶丰芯驰(上海)半导体科技有限公司
左万胜
.
中国专利
:CN223515236U
,2025-11-04
[10]
具有PN结的GaN外延结构
[P].
陈一峰
论文数:
0
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0
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陈一峰
;
陈汝钦
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈汝钦
.
中国专利
:CN104992964A
,2015-10-21
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