一种外延生长低位错密度的硅基锗的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911353312.X

申请日：

2019-12-25

公开(公告)号：

CN111005067A

公开(公告)日：

2020-04-14

发明(设计)人：

陈城钊李云邱胜桦刘翠青

申请人：

申请人地址：

521041 广东省潮州市湘桥区桥东韩山师范学院

IPC主分类号：

C30B2518

IPC分类号：

C30B2908 C30B3302 H01L2102

代理机构：

北京轻创知识产权代理有限公司 11212

代理人：

谈杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/18 申请日:20191225
2020-04-14	公开	公开

共 50 条

[1]

低位错密度锗硅虚衬底的制备方法 [P].

李成 ;

蔡坤煌 ;

张永 ;

赖虹凯 ;

陈松岩 .

中国专利 :CN101013668A ,2007-08-08

[2]

用于制备低位错密度GaN外延材料的硅衬底的处理方法 [P].

尹甲运 ;

冯志红 ;

李佳 ;

刘波 ;

王晶晶 ;

敦少博 .

中国专利 :CN102492935A ,2012-06-13

[3]

低位错密度GaN的生长工艺 [P].

B·博蒙 ;

J－P·福里 ;

P·吉巴特 .

中国专利 :CN101336314A ,2008-12-31

[4]

低位错密度GaN薄膜的侧向合并外延生长方法及应用 [P].

王骁 ;

徐科 ;

张育民 .

中国专利 :CN119943652A ,2025-05-06

[5]

低位错密度GaN薄膜的侧向合并外延生长方法及应用 [P].

王骁 ;

徐科 ;

张育民 .

中国专利 :CN119943652B ,2025-07-01

[6]

一种低位错密度氮化物的外延层生长方法 [P].

程万希 ;

梁辉南 ;

姜仁波 ;

李强 ;

王荣华 ;

高珺 .

中国专利 :CN111312585A ,2020-06-19

[7]

降低位错缺陷的GaN基LED芯片外延生长方法 [P].

朱学亮 ;

吴德华 ;

曲爽 ;

吴亭 ;

李树强 ;

徐现刚 ;

任忠祥 .

中国专利 :CN101702418B ,2010-05-05

[8]

一种纯锗外延生长的方法 [P].

王桂磊 ;

赵超 .

中国专利 :CN104900482A ,2015-09-09

[9]

一种使用缩颈外延获得低位错密度外延薄膜的方法 [P].

赵硕 ;

梁仁荣 ;

刘佳磊 ;

王敬 ;

徐洋 ;

刘志弘 ;

许军 .

中国专利 :CN100570823C ,2008-03-26

[10]

低位错密度AlxGa1-xN外延薄膜的制备方法 [P].

鲁麟 ;

李明潮 ;

刘畅 ;

吕琛 ;

江明 .

中国专利 :CN105097451A ,2015-11-25

← 1 2 3 4 5 →