一种纯锗外延生长的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410081494.0

申请日：

2014-03-06

公开(公告)号：

CN104900482A

公开(公告)日：

2015-09-09

发明(设计)人：

王桂磊赵超

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21205

代理机构：

北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370

代理人：

朱海波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-09	公开	公开
2015-10-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101628126114 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2014100814940 申请日:20140306
2018-11-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20150909

共 50 条

[1]

锗硅选择性外延生长预处理方法 [P].

张文广 ;

郑春生 ;

徐强 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102496574A ,2012-06-13

[2]

选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法 [P].

林静 .

中国专利 :CN103928294A ,2014-07-16

[3]

调整外延生长均一性的方法 [P].

李伟叶 ;

侯翔宇 ;

李昊 .

中国专利 :CN114783860A ,2022-07-22

[4]

锗硅外延生长方法 [P].

曹威 ;

江润峰 .

中国专利 :CN103928319A ,2014-07-16

[5]

一种外延生长低位错密度的硅基锗的方法 [P].

陈城钊 ;

李云 ;

邱胜桦 ;

刘翠青 .

中国专利 :CN111005067A ,2020-04-14

[6]

一种锗硅外延层生长方法 [P].

涂火金 .

中国专利 :CN102956445A ,2013-03-06

[7]

一种锗硅硼外延层生长方法 [P].

涂火金 .

中国专利 :CN104851783A ,2015-08-19

[8]

一种锗硅硼外延层生长方法 [P].

禹国宾 ;

涂火金 ;

何永根 .

中国专利 :CN103000499B ,2013-03-27

[9]

一种硅锗低温外延方法 [P].

张群芳 .

中国专利 :CN106856165A ,2017-06-16

[10]

硅－锗外延生长的产率改进 [P].

马克·D.·杜皮斯 ;

维德·J.·霍奇 ;

丹尼尔·T.·凯利 ;

莱昂·W.·乌斯里奇 .

中国专利 :CN1950542A ,2007-04-18

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