基于斜切硅衬底的超高密度锗硅量子点的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410086982.0

申请日：

2014-03-11

公开(公告)号：

CN103903966A

公开(公告)日：

2014-07-02

发明(设计)人：

钟振扬周通田爽樊永良蒋最敏

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L21203

IPC分类号：

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;王洁平

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/203 申请公布日:20140702
2014-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584218232 IPC(主分类):H01L 21/203 专利申请号:2014100869820 申请日:20140311
2014-07-02	公开	公开

共 50 条

[1]

基于硅衬底的硅锗合金微盘的制备方法 [P].

钟振扬 ;

张宁宁 ;

陈培宗 ;

樊永良 ;

蒋最敏 .

中国专利 :CN109545682B ,2019-03-29

[2]

低位错密度锗硅虚衬底的制备方法 [P].

李成 ;

蔡坤煌 ;

张永 ;

赖虹凯 ;

陈松岩 .

中国专利 :CN101013668A ,2007-08-08

[3]

硅衬底高密度LED光源模组及基于共晶焊的硅衬底高密度LED光源模组制备方法 [P].

宣紫程 .

中国专利 :CN106159064A ,2016-11-23

[4]

硅-锗合金量子点的制备方法 [P].

谢宇 ;

宋健华 ;

吴勇民 ;

凌云 .

中国专利 :CN106118629B ,2016-11-16

[5]

锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底 [P].

魏星 ;

薛忠营 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102386068B ,2012-03-21

[6]

一种生长有序硅基锗量子点的方法 [P].

叶辉 ;

张磊 ;

皇甫幼睿 ;

詹文博 .

中国专利 :CN102201491A ,2011-09-28

[7]

高密度硅纳米晶薄膜的制备方法 [P].

陈晨 ;

贾锐 ;

李维龙 ;

朱晨昕 ;

李昊峰 ;

刘明 ;

田继红 ;

路程 .

中国专利 :CN100576440C ,2009-04-22

[8]

一种基于硅衬底的锗硅准悬浮微环及其制备方法 [P].

钟振扬 ;

杨京朴 ;

蒋最敏 ;

樊永良 .

中国专利 :CN121020504A ,2025-11-28

[9]

硅和硅锗量子点阵列的制备方法 [P].

黄智鹏 ;

吴茵 ;

朱静 .

中国专利 :CN1725438A ,2006-01-25

[10]

硅‑锗合金量子点的合成方法 [P].

谢宇 ;

徐江华 ;

李家旭 ;

宋健华 ;

吴勇民 ;

凌云 ;

张建国 .

中国专利 :CN106085427B ,2016-11-09

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