基于斜切硅衬底的超高密度锗硅量子点的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410086982.0

申请日：

2014-03-11

公开(公告)号：

CN103903966A

公开(公告)日：

2014-07-02

发明(设计)人：

钟振扬周通田爽樊永良蒋最敏

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L21203

IPC分类号：

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;王洁平

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/203 申请公布日:20140702
2014-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584218232 IPC(主分类):H01L 21/203 专利申请号:2014100869820 申请日:20140311
2014-07-02	公开	公开

共 50 条

[21]

一种硅量子点的制备方法 [P].

廖博 ;

王武 ;

邓晓婷 ;

申少华 ;

易守军 .

中国专利 :CN104445203B ,2015-03-25

[22]

用于异质外延生长的硅衬底的制作方法、硅衬底及应用 [P].

吴启花 ;

熊敏 .

中国专利 :CN117711916A ,2024-03-15

[23]

硅量子点墨水及其制备方法 [P].

高志飞 ;

郑灵浪 ;

谢浩 .

中国专利 :CN113248977A ,2021-08-13

[24]

图形硅衬底-硅锗薄膜复合结构及其制备方法和应用 [P].

张建军 ;

张结印 .

中国专利 :CN112382657B ,2021-02-19

[25]

硅量子点光伏异质结制备方法 [P].

唐利斌 ;

方莉媛 ;

张玉平 ;

项金钟 .

中国专利 :CN114497275A ,2022-05-13

[26]

一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法 [P].

芦红 ;

叶佳佳 .

中国专利 :CN107316802A ,2017-11-03

[27]

常温下构筑高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的方法 [P].

徐岭 ;

徐骏 ;

马忠元 ;

黄信凡 ;

陈坤基 ;

李伟 ;

李卫 ;

赵伟明 ;

孙萍 .

中国专利 :CN1873923A ,2006-12-06

[28]

硅衬底的表面改性方法 [P].

闫发旺 ;

张峰 ;

王文宇 .

中国专利 :CN105047752A ,2015-11-11

[29]

一种制备锗硅量子点共振隧穿二极管的方法 [P].

姚锦涛 ;

王茺 ;

杨宇 ;

顾晓岚 ;

沈雷 ;

张丽红 ;

李芳 .

中国专利 :CN104576829A ,2015-04-29

[30]

硅衬底上有序锗纳米线及其制备方法和应用 [P].

张建军 ;

高飞 .

中国专利 :CN110047734A ,2019-07-23

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