图形硅衬底-硅锗薄膜复合结构及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011276489.7

申请日：

2020-11-16

公开(公告)号：

CN112382657B

公开(公告)日：

2021-02-19

发明(设计)人：

张建军张结印

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村南三街8号

IPC主分类号：

H01L2930

IPC分类号：

H01L29161 H01L2915 H01L2906 H01L21205

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280

代理人：

郭广迅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-19	公开	公开
2022-03-18	授权	授权

共 50 条

[1]

硅衬底上有序锗纳米线及其制备方法和应用 [P].

张建军 ;

高飞 .

中国专利 :CN110047734A ,2019-07-23

[2]

一种复合硅衬底及其制备方法和应用 [P].

蔡文必 ;

房育涛 ;

刘波亭 ;

李健 ;

张恺玄 .

中国专利 :CN111477535A ,2020-07-31

[3]

锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底 [P].

魏星 ;

薛忠营 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102386068B ,2012-03-21

[4]

半导体硅锗薄膜的制备方法 [P].

侯晓伟 ;

郭俊杰 ;

倪大成 ;

王飞 ;

郑华雄 ;

郑良广 ;

李菊萍 .

中国专利 :CN105088153B ,2015-11-25

[5]

改性硅/锗复合材料及其制备方法和应用 [P].

王达健 ;

张媛霞 ;

毛智勇 ;

董辰龙 ;

陈静静 ;

常浩林 ;

何健平 ;

孙铭苒 ;

肖怡璇 .

中国专利 :CN118248822A ,2024-06-25

[6]

硅掺杂碳化锗膜、光学薄膜及其制备方法和应用 [P].

伏开虎 ;

金扬利 ;

何坤 ;

高帅 ;

何依雪 ;

李宝迎 ;

刘永华 ;

祖成奎 .

中国专利 :CN111856626A ,2020-10-30

[7]

一种多晶锗硅薄膜的制备方法 [P].

叶志镇 ;

吴贵斌 ;

赵星 ;

刘国军 ;

赵炳辉 .

中国专利 :CN1822319A ,2006-08-23

[8]

硅和硅锗量子点阵列的制备方法 [P].

黄智鹏 ;

吴茵 ;

朱静 .

中国专利 :CN1725438A ,2006-01-25

[9]

硅衬底及其制备方法 [P].

袁国栋 ;

王克超 ;

李晋闽 ;

吴瑞伟 ;

黄芳 ;

王乐 .

中国专利 :CN104975293B ,2015-10-14

[10]

用锗进行硅/硅键合的方法及其制备的硅器件衬底片 [P].

刘玉岭 ;

徐晓辉 ;

张文智 ;

张德臣 ;

张志花 .

中国专利 :CN1145529A ,1997-03-19

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