一种复合硅衬底及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911421074.1

申请日：

2019-12-31

公开(公告)号：

CN111477535A

公开(公告)日：

2020-07-31

发明(设计)人：

蔡文必房育涛刘波亭李健张恺玄

申请人：

申请人地址：

361000 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L29778 H01L3312 C30B2504 C30B2940

代理机构：

厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204

代理人：

张松亭;陈淑娴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20191231
2020-07-31	公开	公开

共 50 条

[1]

图形硅衬底-硅锗薄膜复合结构及其制备方法和应用 [P].

张建军 ;

张结印 .

中国专利 :CN112382657B ,2021-02-19

[2]

一种硅衬底氮化镓半导体晶片及其制备方法和应用 [P].

马宏宇 ;

马成宇 ;

任顺标 .

中国专利 :CN119252732A ,2025-01-03

[3]

一种硅衬底氮化镓半导体晶片及其制备方法和应用 [P].

马宏宇 ;

马成宇 ;

任顺标 .

中国专利 :CN119252732B ,2025-08-01

[4]

一种复合硅衬底 [P].

林科闯 ;

房育涛 ;

刘波亭 ;

张恺玄 ;

杨健 .

中国专利 :CN210120127U ,2020-02-28

[5]

硅衬底上有序锗纳米线及其制备方法和应用 [P].

张建军 ;

高飞 .

中国专利 :CN110047734A ,2019-07-23

[6]

一种硅衬底纳米氧化锌及其制备方法和应用 [P].

俞大鹏 ;

张晔 ;

贾宏博 .

中国专利 :CN1674230A ,2005-09-28

[7]

一种基于硅衬底的锗硅准悬浮微环及其制备方法 [P].

钟振扬 ;

杨京朴 ;

蒋最敏 ;

樊永良 .

中国专利 :CN121020504A ,2025-11-28

[8]

一种异质复合衬底及其制备方法和应用 [P].

刘之鹏 ;

刘福超 ;

母凤文 ;

谭向虎 .

中国专利 :CN119092397A ,2024-12-06

[9]

一种复合压电衬底及其制备方法和应用 [P].

宋永军 ;

刘福超 ;

母凤文 ;

谭向虎 .

中国专利 :CN119300697A ,2025-01-10

[10]

一种异质复合衬底及其制备方法和应用 [P].

刘之鹏 ;

刘福超 ;

母凤文 ;

郭超 ;

谭向虎 .

中国专利 :CN120674308A ,2025-09-19

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