用锗进行硅/硅键合的方法及其制备的硅器件衬底片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96108505.3

申请日：

1996-06-21

公开(公告)号：

CN1145529A

公开(公告)日：

1997-03-19

发明(设计)人：

刘玉岭徐晓辉张文智张德臣张志花

申请人：

申请人地址：

300130天津市红桥区丁字沽一号路

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

南开大学专利事务所

代理人：

李国菇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-03-31	授权	授权
1997-02-26	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1997-03-19	公开	公开
2002-08-21	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止

共 50 条

[1]

减少FDSOI器件锗硅衬底损失的方法 [P].

车思远 .

中国专利 :CN118398495A ,2024-07-26

[2]

图形硅衬底-硅锗薄膜复合结构及其制备方法和应用 [P].

张建军 ;

张结印 .

中国专利 :CN112382657B ,2021-02-19

[3]

硅与硅真空键合装置及键合方法 [P].

冯勇建 ;

吴青海 .

中国专利 :CN1521807A ,2004-08-18

[4]

硅双面扩散衬底片加工方法 [P].

邓建伟 ;

刘谋忠 .

中国专利 :CN101174561A ,2008-05-07

[5]

嵌入式锗硅器件及其制备方法 [P].

卢越野 ;

周佳琪 ;

张帅君 .

中国专利 :CN119698060A ,2025-03-25

[6]

硅器件以及硅器件的制造方法 [P].

高桥伸 ;

竹内淳一 .

中国专利 :CN102582263A ,2012-07-18

[7]

嵌入式锗硅器件的制造方法及嵌入式锗硅器件结构 [P].

黄秋铭 ;

谭俊 ;

颜强 .

中国专利 :CN110444473A ,2019-11-12

[8]

一种基于金锡共晶的硅/硅键合方法 [P].

陈明祥 ;

陈四海 ;

易新建 ;

李静文 ;

董珊 ;

刘胜 .

中国专利 :CN1529343A ,2004-09-15

[9]

SOI器件的锗硅沟道上外延生长硅帽层的方法 [P].

彭利 .

中国专利 :CN119451220A ,2025-02-14

[10]

用于安装硅器件的衬底和方法 [P].

H·豪恩施泰因 .

中国专利 :CN101375396A ,2009-02-25

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