SOI器件的锗硅沟道上外延生长硅帽层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411464839.0

申请日：

2024-10-18

公开(公告)号：

CN119451220A

公开(公告)日：

2025-02-14

发明(设计)人：

彭利

申请人：

上海华力集成电路制造有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H10D86/01

IPC分类号：

H10D86/00

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 86/01申请日:20241018
2025-02-14	公开	公开

共 50 条

[1]

锗硅沟道栅氧化层的形成方法 [P].

姜兰 .

中国专利 :CN117954311A ,2024-04-30

[2]

锗硅外延生长方法 [P].

曹威 ;

江润峰 .

中国专利 :CN103928319A ,2014-07-16

[3]

在SOI衬底上生长锗硅层的方法及半导体器件 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120388882A ,2025-07-29

[4]

一种锗硅外延层生长方法 [P].

涂火金 .

中国专利 :CN102956445A ,2013-03-06

[5]

硅－锗外延生长的产率改进 [P].

马克·D.·杜皮斯 ;

维德·J.·霍奇 ;

丹尼尔·T.·凯利 ;

莱昂·W.·乌斯里奇 .

中国专利 :CN1950542A ,2007-04-18

[6]

锗硅沟道中栅氧化层的形成方法 [P].

姜兰 ;

归琰 .

中国专利 :CN118116800A ,2024-05-31

[7]

FDSOI的顶层锗硅层的制作方法 [P].

陈勇跃 .

中国专利 :CN111584420A ,2020-08-25

[8]

锗硅沟道栅极的形成方法 [P].

姜兰 .

中国专利 :CN114823312A ,2022-07-29

[9]

锗硅沟道栅极的形成方法 [P].

姜兰 .

中国专利 :CN114823312B ,2025-10-31

[10]

一种锗硅硼外延层生长方法 [P].

涂火金 .

中国专利 :CN104851783A ,2015-08-19

← 1 2 3 4 5 →