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锗硅沟道栅极的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202210235494.6
申请日：
2022-03-11
公开(公告)号：
CN114823312B
公开(公告)日：
2025-10-31
发明(设计)人：
姜兰
申请人：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区良腾路6号
IPC主分类号：
H01L21/28
IPC分类号：
H01L21/316
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
刘昌荣
法律状态：
授权
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-10-31 | 授权 | 授权 |