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锗硅沟道中栅氧化层的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410224167.X
申请日：
2024-02-28
公开(公告)号：
CN118116800A
公开(公告)日：
2024-05-31
发明(设计)人：
姜兰
归琰
申请人：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号：
H01L21/28
IPC分类号：
H01L21/336
H01L29/423
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
刘昌荣
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-05-31 | 公开 | 公开 |
| 2024-06-18 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/28申请日:20240228 |