栅氧化层的形成方法

被引：0

申请号：

CN202210973996.9

申请日：

2022-08-15

公开(公告)号：

CN115458396A

公开(公告)日：

2022-12-09

发明(设计)人：

戴韫青

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/283 申请日:20220815
2022-12-09	公开	公开

共 50 条

[1]

栅氧化层形成方法 [P].

令海阳 ;

叶滋婧 .

中国专利 :CN101937840A ,2011-01-05

[2]

栅氧化层的形成方法 [P].

赵旭东 ;

余晴 ;

唐怡 .

中国专利 :CN113223947A ,2021-08-06

[3]

栅氧化层的形成方法 [P].

王青青 .

中国专利 :CN120221400A ,2025-06-27

[4]

CMOS栅氧化层的形成方法 [P].

于涛 ;

胡勇 ;

李冰寒 .

中国专利 :CN102751183B ,2012-10-24

[5]

一种栅氧化层的形成方法 [P].

徐宽 ;

陈武佳 .

中国专利 :CN105990110A ,2016-10-05

[6]

栅氧化层的形成方法 [P].

万波 ;

常延武 ;

李强 .

中国专利 :CN103824771A ,2014-05-28

[7]

栅氧化层形成方法 [P].

何有丰 .

中国专利 :CN101577224B ,2009-11-11

[8]

双栅氧化层及其形成方法 [P].

唐沪怀 ;

高志杰 ;

姚怡雯 .

中国专利 :CN118198000B ,2024-08-13

[9]

双栅氧化层及其形成方法 [P].

唐沪怀 ;

高志杰 ;

姚怡雯 .

中国专利 :CN118198000A ,2024-06-14

[10]

锗硅沟道栅氧化层的形成方法 [P].

姜兰 .

中国专利 :CN117954311A ,2024-04-30

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