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栅氧化层的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411909234.8
申请日：
2024-12-23
公开(公告)号：
CN120221400A
公开(公告)日：
2025-06-27
发明(设计)人：
王青青
申请人：
浙江创芯集成电路有限公司
申请人地址：
311200 浙江省杭州市萧山区宁围街道平澜路2118号浙江大学杭州国际科创中心水博园区11幢4层-5层（自主申报）
IPC主分类号：
H01L21/28
IPC分类号：
H10D84/03
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
李慧慧
法律状态：
公开
国省代码：
浙江省
杭州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-06-27 | 公开 | 公开 |
| 2025-07-15 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/28申请日:20241223 |