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CMOS栅氧化层的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201210230761.7
申请日：
2012-07-04
公开(公告)号：
CN102751183B
公开(公告)日：
2012-10-24
发明(设计)人：
于涛
胡勇
李冰寒
申请人：
申请人地址：
201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
H01L2128
IPC分类号：
H01L218238
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
郑玮
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2014-06-04 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利申请权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701439252 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2012102307617 变更事项:申请人 变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司 变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 登记生效日:20140508 |
| 2012-10-24 | 公开 | 公开 |
| 2014-11-05 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588313321 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2012102307617 申请日:20120704 |
| 2017-06-27 | 授权 | 授权 |