用于安装硅器件的衬底和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780003960.1

申请日：

2007-01-05

公开(公告)号：

CN101375396A

公开(公告)日：

2009-02-25

发明(设计)人：

H·豪恩施泰因

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

代理机构：

北京润平知识产权代理有限公司

代理人：

周建秋;王凤桐

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-25	公开	公开
2011-01-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101062885193 IPC(主分类):H01L 23/48 专利申请号:2007800039601 公开日:20090225
2009-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

用锗进行硅/硅键合的方法及其制备的硅器件衬底片 [P].

刘玉岭 ;

徐晓辉 ;

张文智 ;

张德臣 ;

张志花 .

中国专利 :CN1145529A ,1997-03-19

[2]

硅器件以及硅器件的制造方法 [P].

高桥伸 ;

竹内淳一 .

中国专利 :CN102582263A ,2012-07-18

[3]

硅-氮化镓复合衬底、复合器件及制备方法 [P].

陈龙 ;

程静云 ;

商延卫 ;

马旺 ;

陈祖尧 ;

袁理 .

中国专利 :CN113130297A ,2021-07-16

[4]

图形硅衬底-硅锗薄膜复合结构及其制备方法和应用 [P].

张建军 ;

张结印 .

中国专利 :CN112382657B ,2021-02-19

[5]

无外延衬底中隔离的互补金属氧化物硅器件 [P].

理查德·K·威廉斯 ;

迈克尔·E·康奈尔 ;

陈伟田 .

中国专利 :CN1689144A ,2005-10-26

[6]

一种硅衬底上外延GaAs的方法及制得的半导体器件 [P].

常虎东 ;

孙兵 ;

苏永波 ;

丁芃 ;

刘洪刚 ;

金智 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN110534409B ,2019-12-03

[7]

通过组合选择性外延和共形外延的用于CMOS的图案化硅衬底上的非硅器件异质层 [P].

N·戈埃尔 ;

R·S·周 ;

J·T·卡瓦列罗斯 ;

B·舒-金 ;

M·V·梅茨 ;

N·慕克吉 ;

N·M·泽利克 ;

G·杜威 ;

W·拉赫马迪 ;

M·拉多萨夫列维奇 ;

V·H·勒 ;

R·皮拉里塞泰 ;

S·达斯古普塔 .

中国专利 :CN105531801A ,2016-04-27

[8]

氮化镓与硅器件和电路的单片集成、结构和方法 [P].

F·希伯特 .

中国专利 :CN102194830A ,2011-09-21

[9]

深硅沟槽刻蚀方法及硅器件 [P].

陈桥波 .

中国专利 :CN110071039A ,2019-07-30

[10]

大功率硅器件在母线上的安装单元 [P].

陆地 .

中国专利 :CN303640305S ,2016-04-13

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