无外延衬底中隔离的互补金属氧化物硅器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03823803.9

申请日：

2003-08-13

公开(公告)号：

CN1689144A

公开(公告)日：

2005-10-26

发明(设计)人：

理查德·K·威廉斯迈克尔·E·康奈尔陈伟田

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2130

IPC分类号：

H01L2146 H01L213205 H01L21332 H01L21336 H01L21425 H01L2972 H01L2976 H01L2994 H01L31062

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

授权

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN100428476C ,2008-01-16

[2]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

金钟明 .

中国专利 :CN110858591A ,2020-03-03

[3]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

金尚昱 ;

南胜杰 ;

文泰欢 ;

李光熙 ;

许镇盛 ;

裵鹤烈 ;

李润姓 .

中国专利 :CN114566466A ,2022-05-31

[4]

互补金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

杨勇胜 ;

邢溯 ;

肖德元 .

中国专利 :CN100468701C ,2008-01-16

[5]

互补金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

名仓延宏 .

中国专利 :CN1832180A ,2006-09-13

[6]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

长谷川尚 ;

小山内润 .

中国专利 :CN100550386C ,2003-04-09

[7]

互补金属氧化物半导体器件 [P].

伊藤浩 ;

佐佐木诚 .

中国专利 :CN1217578A ,1999-05-26

[8]

互补金属氧化物半导体器件及其形成方法 [P].

比卡斯·迈蒂 ;

菲利浦·J·托宾 ;

C·约瑟夫·莫噶 ;

克里斯托弗·豪泊斯 ;

拉里·E·福里萨 .

中国专利 :CN1122307C ,2000-02-02

[9]

互补金属氧化物半导体器件及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN101572263B ,2009-11-04

[10]

半导体器件和互补金属氧化物半导体半导体器件 [P].

柳青 ;

P·卡雷 ;

N·劳贝特 .

中国专利 :CN203721725U ,2014-07-16

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-11-07	授权	授权
2005-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-10-26	公开	公开
2020-07-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/30 申请日:20030813 授权公告日:20071107 终止日期:20190813