高密度硅纳米晶薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810224677.8

申请日：

2008-10-23

公开(公告)号：

CN100576440C

公开(公告)日：

2009-04-22

发明(设计)人：

陈晨贾锐李维龙朱晨昕李昊峰刘明田继红路程

申请人：

申请人地址：

100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2120

代理机构：

北京市德权律师事务所

代理人：

王建国

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-30	授权	授权
2019-10-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 申请日:20081023 授权公告日:20091230 终止日期:20181023
2013-04-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101576803537 IPC(主分类):H01L 21/00 专利号:ZL2008102246778 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院微电子研究所变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中国科学院微电子研究所登记生效日:20130407
2009-06-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-04-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制备硅纳米晶薄膜的方法 [P].

陈晨 ;

贾锐 ;

李维龙 ;

刘明 ;

陈宝钦 ;

龙世兵 ;

谢常青 ;

涂德钰 ;

刘琦 .

中国专利 :CN101457346A ,2009-06-17

[2]

一种制备高密度硅纳米孔阵列的方法 [P].

丁士进 ;

朱宝 .

中国专利 :CN102290332A ,2011-12-21

[3]

室温下制备高密度金纳米晶的方法及用途 [P].

黄玥 ;

丁士进 .

中国专利 :CN101575085A ,2009-11-11

[4]

高密度锗纳米线的制备方法 [P].

狄增峰 ;

杨悦昆 ;

薛忠营 ;

张苗 .

中国专利 :CN109280903B ,2019-01-29

[5]

基于共蒸法制备硅纳米晶超晶格结构的方法 [P].

贾锐 ;

李维龙 ;

陈晨 ;

刘明 ;

陈宝钦 ;

谢常青 .

中国专利 :CN101565855A ,2009-10-28

[6]

制备埋嵌硅纳米晶的高介电常数栅介质的方法 [P].

李维龙 ;

贾锐 ;

陈晨 ;

刘明 ;

陈宝钦 ;

谢常青 ;

龙世兵 .

中国专利 :CN101452844A ,2009-06-10

[7]

一种内嵌高密度钯纳米晶的介质薄膜的制备方法 [P].

丁士进 ;

黄万一 .

中国专利 :CN101894753A ,2010-11-24

[8]

一种新型硅纳米晶的制备方法 [P].

张荣君 ;

陈良尧 ;

郑玉祥 ;

李晶 ;

王松有 ;

陆明 .

中国专利 :CN1974883A ,2007-06-06

[9]

高密度纳米晶片 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN217015067U ,2022-07-22

[10]

包括高密度金属纳米团簇的硅纳米线及其制备方法 [P].

朴京洙 ;

宋仁庸 ;

许成 ;

郭东昱 ;

赵薰英 ;

金翰秀 ;

崔在万 ;

权问奭 .

中国专利 :CN102234111A ,2011-11-09

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