高密度锗纳米线的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811245546.8

申请日：

2018-10-24

公开(公告)号：

CN109280903B

公开(公告)日：

2019-01-29

发明(设计)人：

狄增峰杨悦昆薛忠营张苗

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

C23C1626

IPC分类号：

C23C1602 C23C1606 B82Y4000

代理机构：

上海泰能知识产权代理事务所 31233

代理人：

宋缨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/26 申请日:20181024
2020-10-20	授权	授权
2019-01-29	公开	公开

共 50 条

[1]

高密度纳米线阵列 [P].

布莱戴恩·杜瑞兹 ;

马丁·克里斯多福·荷兰德 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN106558472B ,2017-04-05

[2]

高密度硅纳米晶薄膜的制备方法 [P].

陈晨 ;

贾锐 ;

李维龙 ;

朱晨昕 ;

李昊峰 ;

刘明 ;

田继红 ;

路程 .

中国专利 :CN100576440C ,2009-04-22

[3]

包括高密度金属纳米团簇的硅纳米线及其制备方法 [P].

朴京洙 ;

宋仁庸 ;

许成 ;

郭东昱 ;

赵薰英 ;

金翰秀 ;

崔在万 ;

权问奭 .

中国专利 :CN102234111A ,2011-11-09

[4]

一种制备锗纳米线的方法 [P].

陈王华 ;

贡瑞苓 .

中国专利 :CN111112642B ,2020-05-08

[5]

基于高密度有序铜纳米线催化的大面积石墨烯制备方法 [P].

陆小力 ;

张吉文 ;

王东 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN104726846A ,2015-06-24

[6]

一种高密度缺陷碳化硅纳米线的制备方法 [P].

朱嘉琦 ;

于海玲 ;

杨振怀 ;

韩杰才 .

中国专利 :CN103332692B ,2013-10-02

[7]

锗纳米线制造 [P].

L·维特斯 ;

K·沃斯特恩 .

中国专利 :CN109216199B ,2019-01-15

[8]

一种硅锗纳米线的制作方法 [P].

王勇 ;

王瑛 ;

丁超 .

中国专利 :CN106229256A ,2016-12-14

[9]

室温下制备高密度金纳米晶的方法及用途 [P].

黄玥 ;

丁士进 .

中国专利 :CN101575085A ,2009-11-11

[10]

一种无定形锗基纳米线的制备方法 [P].

封伟 ;

赵付来 ;

王宇 ;

张鑫 ;

李瑀 ;

冯奕钰 .

中国专利 :CN110615465A ,2019-12-27

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