一种内嵌高密度钯纳米晶的介质薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010221406.4

申请日：

2010-07-08

公开(公告)号：

CN101894753A

公开(公告)日：

2010-11-24

发明(设计)人：

丁士进黄万一

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L21285

IPC分类号：

H01L218247 C23C1435

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;盛志范

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101069688646 IPC(主分类):H01L 21/285 专利申请号:2010102214064 申请日:20100708
2016-08-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101676524362 IPC(主分类):H01L 21/285 专利号:ZL2010102214064 申请日:20100708 授权公告日:20121017 终止日期:20150708
2012-10-17	授权	授权
2010-11-24	公开	公开

共 50 条

[1]

适用于快闪存储器的高密度钯纳米晶的制备方法 [P].

黄万一 ;

丁士进 .

中国专利 :CN101901755B ,2010-12-01

[2]

高密度硅纳米晶薄膜的制备方法 [P].

陈晨 ;

贾锐 ;

李维龙 ;

朱晨昕 ;

李昊峰 ;

刘明 ;

田继红 ;

路程 .

中国专利 :CN100576440C ,2009-04-22

[3]

适用于闪存器件的高密度钴纳米点的制备方法 [P].

黄玥 ;

丁士进 .

中国专利 :CN101740522A ,2010-06-16

[4]

一种适用于快闪存储器的高密度铂纳米晶的制备方法 [P].

丁士进 ;

陈红兵 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN102243996A ,2011-11-16

[5]

一种制备高密度硅纳米孔阵列的方法 [P].

丁士进 ;

朱宝 .

中国专利 :CN102290332A ,2011-12-21

[6]

一种具有高密度孪晶结构的纳米晶镍及其制备方法 [P].

张跃飞 ;

成宇浩 ;

韩晓东 ;

张泽 .

中国专利 :CN102321896A ,2012-01-18

[7]

室温下制备高密度金纳米晶的方法及用途 [P].

黄玥 ;

丁士进 .

中国专利 :CN101575085A ,2009-11-11

[8]

钯纳米薄膜的制备方法和钯/铂纳米薄膜的制备方法 [P].

金永东 ;

吴昊曦 .

中国专利 :CN103184441B ,2013-07-03

[9]

一种超高密度单层纳米晶存储器的制备方法 [P].

刘晓杰 ;

李爱东 ;

高墨昀 ;

李学飞 ;

吴迪 .

中国专利 :CN103280431A ,2013-09-04

[10]

反铁磁非晶基体纳米晶高密度存储材料的制备方法 [P].

赵言辉 ;

赵德乾 ;

潘明祥 ;

汪卫华 .

中国专利 :CN1581384A ,2005-02-16

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