一种适用于快闪存储器的高密度铂纳米晶的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110208419.2

申请日：

2011-07-25

公开(公告)号：

CN102243996A

公开(公告)日：

2011-11-16

发明(设计)人：

丁士进陈红兵孙清清张卫

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L21285

IPC分类号：

H01L218247

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;盛志范

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101298711842 IPC(主分类):H01L 21/285 专利申请号:2011102084192 申请日:20110725
2011-11-16	公开	公开
2014-10-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101705823342 IPC(主分类):H01L 21/285 专利申请号:2011102084192 申请公布日:20111116

共 50 条

[1]

适用于快闪存储器的高密度钯纳米晶的制备方法 [P].

黄万一 ;

丁士进 .

中国专利 :CN101901755B ,2010-12-01

[2]

适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的溅射沉积制备方法 [P].

丁士进 ;

陈玮 ;

张敏 ;

张卫 .

中国专利 :CN101060078A ,2007-10-24

[3]

适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的原子层淀积制备方法 [P].

丁士进 ;

陈玮 ;

张敏 ;

张卫 .

中国专利 :CN101060077A ,2007-10-24

[4]

高密度快闪存储器 [P].

赖茂富 .

中国专利 :CN1464562A ,2003-12-31

[5]

一种超高密度单层纳米晶存储器的制备方法 [P].

刘晓杰 ;

李爱东 ;

高墨昀 ;

李学飞 ;

吴迪 .

中国专利 :CN103280431A ,2013-09-04

[6]

适用于闪存器件的高密度钴纳米点的制备方法 [P].

黄玥 ;

丁士进 .

中国专利 :CN101740522A ,2010-06-16

[7]

一种混合纳米晶存储器的电容结构及其制备方法 [P].

丁士进 ;

苟鸿雁 .

中国专利 :CN101692463A ,2010-04-07

[8]

纳米晶快闪存储器栅极的制造方法 [P].

叶文源 ;

黄柏喻 ;

王蒙 .

中国专利 :CN102543703B ,2012-07-04

[9]

能储存高密度资料的高性能快闪存储器装置 [P].

郭苕华 ;

N·梁 ;

杨念 ;

王国威 ;

A·李 ;

S·钱德拉 ;

M·A·范布斯科克 ;

J·陈 ;

D·汉密尔顿 ;

李冰宽 .

中国专利 :CN101263563A ,2008-09-10

[10]

一种内嵌高密度钯纳米晶的介质薄膜的制备方法 [P].

丁士进 ;

黄万一 .

中国专利 :CN101894753A ,2010-11-24

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