一种超高密度单层纳米晶存储器的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310208992.2

申请日：

2013-05-30

公开(公告)号：

CN103280431A

公开(公告)日：

2013-09-04

发明(设计)人：

刘晓杰李爱东高墨昀李学飞吴迪

申请人：

申请人地址：

210008 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

IPC主分类号：

H01L218247

IPC分类号：

代理机构：

江苏圣典律师事务所 32237

代理人：

贺翔

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-04	公开	公开
2016-02-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101727732569 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2013102089922 申请公布日:20130904
2013-10-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101527524469 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2013102089922 申请日:20130530

共 50 条

[1]

一种适用于快闪存储器的高密度铂纳米晶的制备方法 [P].

丁士进 ;

陈红兵 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN102243996A ,2011-11-16

[2]

一种用于超高密度数据存储的纳米存储器及其制备方法 [P].

路建美 ;

李华 .

中国专利 :CN114913884A ,2022-08-16

[3]

一种超高密度随机存储器制造方法 [P].

肖荣福 ;

郭一民 ;

陈峻 .

中国专利 :CN108735743A ,2018-11-02

[4]

一种超高密度随机存储器架构 [P].

肖荣福 ;

郭一民 ;

陈峻 .

中国专利 :CN108735773A ,2018-11-02

[5]

一种超高密度随机存储器架构 [P].

肖荣福 ;

郭一民 ;

陈峻 .

中国专利 :CN108807452A ,2018-11-13

[6]

高密度存储器结构 [P].

蔡南雄 ;

陈民良 .

中国专利 :CN1165381A ,1997-11-19

[7]

高密度相变存储器及其制备方法 [P].

钟旻 ;

陈寿面 ;

李铭 .

中国专利 :CN109686755B ,2019-04-26

[8]

适用于快闪存储器的高密度钯纳米晶的制备方法 [P].

黄万一 ;

丁士进 .

中国专利 :CN101901755B ,2010-12-01

[9]

高密度相变存储器的制备方法 [P].

宋志棠 ;

吕士龙 .

中国专利 :CN101488556A ,2009-07-22

[10]

一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法 [P].

孙海涛 ;

刘琦 ;

吕杭炳 ;

龙世兵 ;

刘明 .

中国专利 :CN103972386B ,2014-08-06

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