高密度存储器结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96105125.6

申请日：

1996-05-10

公开(公告)号：

CN1165381A

公开(公告)日：

1997-11-19

发明(设计)人：

蔡南雄陈民良

申请人：

申请人地址：

中国台湾

IPC主分类号：

G11C1134

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

余朦

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1996-12-25	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2003-10-29	授权	授权
2016-06-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101668959256 IPC(主分类):H01L 21/70 专利号:ZL961051256 申请日:19960510 授权公告日:20031029 终止日期:20150510
1997-11-19	公开	公开
2005-03-16	专利申请权、专利权的转移专利权的转移	专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更事项:专利权人变更前权利人:台湾茂矽电子股份有限公司变更后权利人:茂德科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:中国台湾变更后权利人:中国台湾登记生效日:20050204

共 50 条

[1]

高密度存储器单元结构 [P].

李伟建 ;

裴成文 ;

王平川 .

中国专利 :CN107230679A ,2017-10-03

[2]

高密度存储器结构 [P].

林洋绪 ;

陆晓文 ;

郑基廷 ;

张琮永 .

中国专利 :CN104599700A ,2015-05-06

[3]

高密度能量存储器 [P].

杨明 .

中国专利 :CN201383440Y ,2010-01-13

[4]

高密度OTP存储器 [P].

毛军华 ;

彭泽忠 ;

雷鸣 ;

陶川东 ;

王坤 .

中国专利 :CN120111885A ,2025-06-06

[5]

高密度动态随机存取存储器的电容器结构的制造方法 [P].

蔡泓祥 .

中国专利 :CN1236991A ,1999-12-01

[6]

高密度快闪存储器 [P].

赖茂富 .

中国专利 :CN1464562A ,2003-12-31

[7]

高密度半导体存储器件 [P].

李宰圭 ;

姜荣珉 ;

李贤珠 .

中国专利 :CN103137173A ,2013-06-05

[8]

高密度半导体存储器单元和存储器阵列 [P].

J·Z·彭 .

中国专利 :CN100499132C ,2005-11-09

[9]

用于高密度存储器的磁电部件 [P].

赫伯特·戈伦克因 ;

尼古拉斯·D·里佐 ;

布拉德利·N·恩戈尔 .

中国专利 :CN1606782A ,2005-04-13

[10]

高密度相变存储器及其制备方法 [P].

钟旻 ;

陈寿面 ;

李铭 .

中国专利 :CN109686755B ,2019-04-26

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