用于高密度存储器的磁电部件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02825450.3

申请日：

2002-12-13

公开(公告)号：

CN1606782A

公开(公告)日：

2005-04-13

发明(设计)人：

赫伯特·戈伦克因尼古拉斯·D·里佐布拉德利·N·恩戈尔

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

G11C1116

IPC分类号：

G11C1115

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

李德山

法律状态：

专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-15	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更前权利人:自由度半导体公司变更后权利人:艾沃思宾技术公司变更事项:地址变更前:美国得克萨斯变更后:美国亚利桑那登记生效日:20090306
2005-04-13	公开	公开
2005-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-02-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101190112172 IPC(主分类):G11C 11/16 专利号:ZL028254503 申请日:20021213 授权公告日:20090107 终止日期:20101213
2009-01-07	授权	授权

共 50 条

[1]

高密度存储器结构 [P].

林洋绪 ;

陆晓文 ;

郑基廷 ;

张琮永 .

中国专利 :CN104599700A ,2015-05-06

[2]

高密度存储器结构 [P].

蔡南雄 ;

陈民良 .

中国专利 :CN1165381A ,1997-11-19

[3]

高密度存储器单元结构 [P].

李伟建 ;

裴成文 ;

王平川 .

中国专利 :CN107230679A ,2017-10-03

[4]

高密度能量存储器 [P].

杨明 .

中国专利 :CN201383440Y ,2010-01-13

[5]

高密度OTP存储器 [P].

毛军华 ;

彭泽忠 ;

雷鸣 ;

陶川东 ;

王坤 .

中国专利 :CN120111885A ,2025-06-06

[6]

高密度快闪存储器 [P].

赖茂富 .

中国专利 :CN1464562A ,2003-12-31

[7]

用于制造高密度存储器阵列的装置以及方法 [P].

K·J·李 ;

王奕 ;

E·N·谭 .

中国专利 :CN107534044A ,2018-01-02

[8]

高密度“与非”非易失性存储器装置 [P].

阿勒普·巴塔查里亚 .

中国专利 :CN101223640B ,2008-07-16

[9]

高密度相变存储器的制备方法 [P].

宋志棠 ;

吕士龙 .

中国专利 :CN101488556A ,2009-07-22

[10]

高密度分裂栅存储器单元 [P].

N.杜 ;

X.刘 ;

V.蒂瓦里 ;

H.V.陈 .

中国专利 :CN107210203B ,2017-09-26

← 1 2 3 4 5 →