用于制造高密度存储器阵列的装置以及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580078966.X

申请日：

2015-05-18

公开(公告)号：

CN107534044A

公开(公告)日：

2018-01-02

发明(设计)人：

K·J·李王奕 E·N·谭

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L2722 G11C1116 G11C506

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

陈松涛;韩宏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-02	公开	公开
2018-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20150518
2022-02-11	授权	授权

共 50 条

[1]

存储器内计算、高密度阵列 [P].

A·格罗弗 ;

T·罗伊 .

中国专利 :CN112435700A ,2021-03-02

[2]

高密度存储器单元结构 [P].

李伟建 ;

裴成文 ;

王平川 .

中国专利 :CN107230679A ,2017-10-03

[3]

高密度小型存储器阵列的系统及其制造方法 [P].

徐子轩 ;

李明修 ;

吴昭谊 ;

郭明昌 .

中国专利 :CN101005050A ,2007-07-25

[4]

高密度存储器结构 [P].

林洋绪 ;

陆晓文 ;

郑基廷 ;

张琮永 .

中国专利 :CN104599700A ,2015-05-06

[5]

高密度存储器结构 [P].

蔡南雄 ;

陈民良 .

中国专利 :CN1165381A ,1997-11-19

[6]

高密度半导体存储器单元和存储器阵列 [P].

J·Z·彭 .

中国专利 :CN100499132C ,2005-11-09

[7]

用于高密度存储器的磁电部件 [P].

赫伯特·戈伦克因 ;

尼古拉斯·D·里佐 ;

布拉德利·N·恩戈尔 .

中国专利 :CN1606782A ,2005-04-13

[8]

具有存储器阵列的高密度集成电路 [P].

林金溪 ;

黄盟珠 ;

陈俊利 ;

倪福隆 .

中国专利 :CN1423278B ,2003-06-11

[9]

高密度能量存储器及其制造方法 [P].

杨明 .

中国专利 :CN101521120A ,2009-09-02

[10]

高密度磁阻存储器及其制造方法 [P].

金恩植 ;

金庸洙 .

中国专利 :CN100557702C ,2005-02-02

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