高密度OTP存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510135161.X

申请日：

2025-02-07

公开(公告)号：

CN120111885A

公开(公告)日：

2025-06-06

发明(设计)人：

毛军华彭泽忠雷鸣陶川东王坤

申请人：

四川凯路威科技有限公司

申请人地址：

621000 四川省绵阳市高新区飞云大道东段261号综合保税区关外402幢4楼

IPC主分类号：

H10B20/25

IPC分类号：

H10D62/10 H10D62/60

代理机构：

成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215

代理人：

李顺德;王建国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 20/25申请日:20250207
2025-06-06	公开	公开

共 50 条

[1]

高密度存储器结构 [P].

林洋绪 ;

陆晓文 ;

郑基廷 ;

张琮永 .

中国专利 :CN104599700A ,2015-05-06

[2]

高密度存储器结构 [P].

蔡南雄 ;

陈民良 .

中国专利 :CN1165381A ,1997-11-19

[3]

高密度能量存储器 [P].

杨明 .

中国专利 :CN201383440Y ,2010-01-13

[4]

高密度快闪存储器 [P].

赖茂富 .

中国专利 :CN1464562A ,2003-12-31

[5]

高密度存储器单元结构 [P].

李伟建 ;

裴成文 ;

王平川 .

中国专利 :CN107230679A ,2017-10-03

[6]

高密度分裂栅存储器单元 [P].

N.杜 ;

X.刘 ;

V.蒂瓦里 ;

H.V.陈 .

中国专利 :CN107210203B ,2017-09-26

[7]

存储器内计算、高密度阵列 [P].

A·格罗弗 ;

T·罗伊 .

中国专利 :CN112435700A ,2021-03-02

[8]

高密度半导体存储器件 [P].

李宰圭 ;

姜荣珉 ;

李贤珠 .

中国专利 :CN103137173A ,2013-06-05

[9]

高密度半导体存储器单元和存储器阵列 [P].

J·Z·彭 .

中国专利 :CN100499132C ,2005-11-09

[10]

高密度能量存储器及其制造方法 [P].

杨明 .

中国专利 :CN101521120A ,2009-09-02

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