高密度相变存储器的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910046089.4

申请日：

2009-02-11

公开(公告)号：

CN101488556A

公开(公告)日：

2009-07-22

发明(设计)人：

宋志棠吕士龙

申请人：

申请人地址：

200050上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

H01L2724

代理机构：

上海光华专利事务所

代理人：

余明伟

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-02-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101066679685 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2009100460894 公开日:20090722
2009-09-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

高密度相变存储器及其制备方法 [P].

钟旻 ;

陈寿面 ;

李铭 .

中国专利 :CN109686755B ,2019-04-26

[2]

一种高密度相变存储器的制备方法 [P].

程凯芳 ;

王晓峰 ;

王晓东 ;

张加勇 ;

马慧莉 ;

杨富华 .

中国专利 :CN101814579B ,2010-08-25

[3]

高密度相变存储器的结构与制备的工艺 [P].

宋志棠 ;

刘波 ;

宝民 ;

丁晟 ;

刘卫丽 ;

封松林 .

中国专利 :CN101232038A ,2008-07-30

[4]

一种高密度相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周夕淋 ;

郑加 ;

宋志棠 ;

宋三年 .

中国专利 :CN114709330A ,2022-07-05

[5]

高速、高密度、低功耗的相变存储器单元及制备方法 [P].

宋志棠 ;

顾怡峰 ;

宋三年 .

中国专利 :CN103682089A ,2014-03-26

[6]

一种高密度相变存储器电路结构及其制备方法 [P].

蔡道林 ;

陈后鹏 ;

王倩 ;

王兆敏 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN102931206A ,2013-02-13

[7]

低压低功耗、高密度相变存储器单元阵列的制备方法 [P].

宋志棠 ;

冯高明 ;

钟旻 ;

刘波 ;

封松林 .

中国专利 :CN101494196B ,2009-07-29

[8]

一种高密度多值相变存储器的存储方案 [P].

林殷茵 ;

吴雨欣 ;

张佶 ;

薛晓勇 ;

徐乐 ;

胡倍源 ;

廖启宏 .

中国专利 :CN101359502B ,2009-02-04

[9]

高密度存储器结构 [P].

林洋绪 ;

陆晓文 ;

郑基廷 ;

张琮永 .

中国专利 :CN104599700A ,2015-05-06

[10]

高密度存储器结构 [P].

蔡南雄 ;

陈民良 .

中国专利 :CN1165381A ,1997-11-19

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