一种超高密度随机存储器制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710245065.6
申请日
2017-04-14
公开(公告)号
CN108735743A
公开(公告)日
2018-11-02
发明(设计)人
肖荣福 郭一民 陈峻
申请人
申请人地址
201800 上海市嘉定区城北路235号二号楼二层
IPC主分类号
H01L27108
IPC分类号
H01L27112 H01L2722 H01L218242 H01L218246 H01L218239
代理机构
上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287
代理人
于晓菁
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种高密度随机存储器制造方法 [P]. 
肖荣福 ;
郭一民 ;
陈峻 .
中国专利 :CN108735742B ,2018-11-02
[2]
一种超高密度随机存储器架构 [P]. 
肖荣福 ;
郭一民 ;
陈峻 .
中国专利 :CN108735773A ,2018-11-02
[3]
一种超高密度随机存储器架构 [P]. 
肖荣福 ;
郭一民 ;
陈峻 .
中国专利 :CN108807452A ,2018-11-13
[4]
一种高密度随机存储器架构 [P]. 
肖荣福 ;
郭一民 ;
陈峻 .
中国专利 :CN108735894A ,2018-11-02
[5]
一种共享型的高密度随机存储器架构 [P]. 
肖荣福 ;
郭一民 ;
陈峻 .
中国专利 :CN108735772A ,2018-11-02
[6]
一种高密度静态随机存储器 [P]. 
蒋信 ;
刘瑞盛 ;
喻涛 ;
简红 .
中国专利 :CN114256245A ,2022-03-29
[7]
使用垂直型鳍式场效晶体管的超高密度随机存储器架构 [P]. 
肖荣福 ;
郭一民 ;
陈峻 .
中国专利 :CN108807413A ,2018-11-13
[8]
使用垂直型环绕式场效晶体管的超高密度随机存储器架构 [P]. 
肖荣福 ;
郭一民 ;
陈峻 .
中国专利 :CN108807660A ,2018-11-13
[9]
高密度存储器结构 [P]. 
蔡南雄 ;
陈民良 .
中国专利 :CN1165381A ,1997-11-19
[10]
基于霍尔效应的超高密度磁随机存储器及其制备方法 [P]. 
丁玉成 ;
刘红忠 ;
叶向东 ;
卢秉恒 .
中国专利 :CN101118921A ,2008-02-06