适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的原子层淀积制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710040766.2

申请日：

2007-05-17

公开(公告)号：

CN101060077A

公开(公告)日：

2007-10-24

发明(设计)人：

丁士进陈玮张敏张卫

申请人：

申请人地址：

200433上海市邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21285

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司

代理人：

陆飞;盛志范

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-10-24	公开	公开
2017-06-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101730559168 专利号:ZL2007100407662 申请日:20070517 授权公告日:20090408 终止日期:20160517 IPC(主分类):H01L 21/203
2009-04-08	授权	授权

共 50 条

[1]

适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的溅射沉积制备方法 [P].

丁士进 ;

陈玮 ;

张敏 ;

张卫 .

中国专利 :CN101060078A ,2007-10-24

[2]

适用于快闪存储器的高密度钯纳米晶的制备方法 [P].

黄万一 ;

丁士进 .

中国专利 :CN101901755B ,2010-12-01

[3]

一种适用于快闪存储器的高密度铂纳米晶的制备方法 [P].

丁士进 ;

陈红兵 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN102243996A ,2011-11-16

[4]

高密度快闪存储器 [P].

赖茂富 .

中国专利 :CN1464562A ,2003-12-31

[5]

适用于闪存器件的高密度钴纳米点的制备方法 [P].

黄玥 ;

丁士进 .

中国专利 :CN101740522A ,2010-06-16

[6]

纳米晶快闪存储器栅极的制造方法 [P].

叶文源 ;

黄柏喻 ;

王蒙 .

中国专利 :CN102543703B ,2012-07-04

[7]

一种超高密度单层纳米晶存储器的制备方法 [P].

刘晓杰 ;

李爱东 ;

高墨昀 ;

李学飞 ;

吴迪 .

中国专利 :CN103280431A ,2013-09-04

[8]

能储存高密度资料的高性能快闪存储器装置 [P].

郭苕华 ;

N·梁 ;

杨念 ;

王国威 ;

A·李 ;

S·钱德拉 ;

M·A·范布斯科克 ;

J·陈 ;

D·汉密尔顿 ;

李冰宽 .

中国专利 :CN101263563A ,2008-09-10

[9]

高密度相变存储器的制备方法 [P].

宋志棠 ;

吕士龙 .

中国专利 :CN101488556A ,2009-07-22

[10]

快闪存储器的擦除方法及快闪存储器 [P].

楼冰泳 ;

马庆容 ;

廖少武 .

中国专利 :CN105225695A ,2016-01-06

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