硅衬底高密度LED光源模组及基于共晶焊的硅衬底高密度LED光源模组制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610762548.9

申请日：

2016-08-30

公开(公告)号：

CN106159064A

公开(公告)日：

2016-11-23

发明(设计)人：

宣紫程

申请人：

申请人地址：

516000 广东省惠州市惠城区金湖居委会学府路一号东江学府202栋601房

IPC主分类号：

H01L3348

IPC分类号：

H01L3362 H01L3364 H01L25075

代理机构：

惠州市超越知识产权代理事务所(普通合伙) 44349

代理人：

陶远恒

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-23	公开	公开
2017-04-12	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101749965675 IPC(主分类):H01L 33/48 专利申请号:2016107625489 登记生效日:20170323 变更事项:申请人变更前权利人:宣紫程变更后权利人:广东玖星光能低碳科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:516000 广东省惠州市惠城区金湖居委会学府路一号东江学府202栋601房变更后权利人:516000 广东省惠州市东江高新区东兴片区东新大道108号厂房A
2020-03-24	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 33/48 申请公布日:20161123

共 50 条

[1]

高密度LED光源结构 [P].

曹顿华 ;

梁月山 ;

李抒智 ;

董永军 .

中国专利 :CN206259381U ,2017-06-16

[2]

COB高密度LED倒装光源 [P].

罗顺安 .

中国专利 :CN207938646U ,2018-10-02

[3]

高密度LED光源结构及其制备方法 [P].

曹顿华 ;

梁月山 ;

李抒智 ;

董永军 .

中国专利 :CN106098900A ,2016-11-09

[4]

高密度LED面板和高密度LED面板组装方法 [P].

刘玉祥 .

中国专利 :CN113964113A ,2022-01-21

[5]

基于斜切硅衬底的超高密度锗硅量子点的制备方法 [P].

钟振扬 ;

周通 ;

田爽 ;

樊永良 ;

蒋最敏 .

中国专利 :CN103903966A ,2014-07-02

[6]

高密度硅纳米晶薄膜的制备方法 [P].

陈晨 ;

贾锐 ;

李维龙 ;

朱晨昕 ;

李昊峰 ;

刘明 ;

田继红 ;

路程 .

中国专利 :CN100576440C ,2009-04-22

[7]

一种高密度LED矩阵式光源 [P].

申运贵 .

中国专利 :CN223345350U ,2025-09-16

[8]

一种立体式硅衬底LED光源模组 [P].

潘景航 ;

陈弘达 ;

李聚珠 .

中国专利 :CN207635032U ,2018-07-20

[9]

高密度mini LED模组用于医疗和美容领域 [P].

黄大玮 ;

刘彬 .

中国专利 :CN115000054A ,2022-09-02

[10]

一种高密度LED固晶工艺 [P].

王华茂 ;

黄辉 ;

刘建辉 ;

易佳朋 ;

谢国荣 .

中国专利 :CN112366268A ,2021-02-12

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