一种低位错密度的碳化硅衬底及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110947945.4

申请日：

2021-08-18

公开(公告)号：

CN113957533A

公开(公告)日：

2022-01-21

发明(设计)人：

张九阳李霞王永方高宇晗张红岩高超梁庆瑞李祥皓苏丽娜

申请人：

申请人地址：

250118 山东省济南市槐荫区天岳南路99号

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2306

代理机构：

北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716

代理人：

冯妙娜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-21	公开	公开
2022-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20210818

共 50 条

[1]

一种低位错、高平整度的碳化硅衬底及其制备方法 [P].

王振行 ;

赵建国 ;

李昊 ;

刘星 ;

石志强 ;

高宇晗 ;

杨晓俐 ;

高超 .

中国专利 :CN120138807A ,2025-06-13

[2]

碳化硅衬底薄膜的制备方法 [P].

周贞宏 ;

王萍 ;

韩永 .

中国专利 :CN113921381A ,2022-01-11

[3]

一种低位错、低应力的P型碳化硅晶体及碳化硅衬底 [P].

党一帆 ;

朱灿 ;

刘鹏飞 ;

陈超 ;

周惠琴 ;

周煜 ;

刘硕 ;

王立凤 ;

张红岩 .

中国专利 :CN119571461A ,2025-03-07

[4]

碳化硅衬底、晶锭及其制备方法 [P].

方帅 ;

高宇晗 ;

高超 ;

石志强 ;

杨世兴 ;

宗艳民 .

中国专利 :CN112466929A ,2021-03-09

[5]

碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法 [P].

欧阳鹏根 ;

刘小琴 ;

盛永江 ;

杨水淼 ;

陈彦宇 ;

杨华 .

中国专利 :CN120193333B ,2025-10-10

[6]

碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法 [P].

欧阳鹏根 ;

刘小琴 ;

盛永江 ;

杨水淼 ;

陈彦宇 ;

杨华 .

中国专利 :CN120193333A ,2025-06-24

[7]

一种碳化硅衬底的制备方法及碳化硅衬底 [P].

欧欣 ;

伊艾伦 .

中国专利 :CN114864424A ,2022-08-05

[8]

用于制造碳化硅衬底的方法以及碳化硅衬底 [P].

木下博之 ;

须田淳 ;

木本恒畅 .

中国专利 :CN101536157B ,2009-09-16

[9]

一种低位错密度的碳化硅单晶生长方法 [P].

王蓉 ;

徐所成 ;

皮孝东 ;

许彬杰 ;

王亚哲 ;

陈鹏磊 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN114277442B ,2022-04-05

[10]

碳化硅衬底、碳化硅半导体装置及碳化硅衬底的制造方法 [P].

内田光亮 .

日本专利 :CN121014273A ,2025-11-25

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