一种低位错、低应力的P型碳化硅晶体及碳化硅衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411758469.1

申请日：

2024-12-03

公开(公告)号：

CN119571461A

公开(公告)日：

2025-03-07

发明(设计)人：

党一帆朱灿刘鹏飞陈超周惠琴周煜刘硕王立凤张红岩

申请人：

山东天岳先进科技股份有限公司

申请人地址：

250118 山东省济南市槐荫区天岳南路99号

IPC主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B9/10

代理机构：

北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716

代理人：

王振南

法律状态：

公开

国省代码：

山东省济南市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	公开	公开
2025-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/36申请日:20241203

共 50 条

[1]

一种高质量P型碳化硅晶体及碳化硅衬底 [P].

党一帆 ;

朱灿 ;

刘鹏飞 ;

陈超 ;

周惠琴 ;

张红岩 ;

王立凤 ;

王晓 .

中国专利 :CN119615370A ,2025-03-14

[2]

一种n型碳化硅衬底及碳化硅晶体 [P].

高宇晗 ;

高超 ;

方帅 ;

王路平 ;

王宗玉 ;

石志强 ;

杨晓俐 ;

宁秀秀 .

中国专利 :CN118516765A ,2024-08-20

[3]

一种光程差小的半绝缘型碳化硅晶体及碳化硅衬底 [P].

张九阳 ;

高超 ;

赵树春 ;

李霞 ;

张宁 ;

刘圆圆 ;

孟庆豪 ;

王路平 ;

周坤 ;

刘浩 .

中国专利 :CN119507049A ,2025-02-25

[4]

一种光程差均匀性好的导电型碳化硅晶体及碳化硅衬底 [P].

张九阳 ;

高超 ;

李昊 ;

王振行 ;

石志强 ;

李培达 ;

马建丽 ;

李印 ;

孙诗甫 ;

马立兴 .

中国专利 :CN119571460A ,2025-03-07

[5]

碳化硅晶体及碳化硅晶片 [P].

林钦山 .

中国专利 :CN117364247A ,2024-01-09

[6]

碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法 [P].

欧阳鹏根 ;

刘小琴 ;

盛永江 ;

杨水淼 ;

陈彦宇 ;

杨华 .

中国专利 :CN120193333B ,2025-10-10

[7]

碳化硅衬底、碳化硅锭以及制造碳化硅衬底和碳化硅锭的方法 [P].

佐佐木信 ;

西口太郎 .

中国专利 :CN103476975A ,2013-12-25

[8]

碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法 [P].

欧阳鹏根 ;

刘小琴 ;

盛永江 ;

杨水淼 ;

陈彦宇 ;

杨华 .

中国专利 :CN120193333A ,2025-06-24

[9]

高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法 [P].

彭同华 ;

王波 ;

赵宁 ;

娄艳芳 ;

郭钰 ;

张贺 ;

刘春俊 ;

杨建 .

中国专利 :CN113186601B ,2021-07-30

[10]

碳化硅衬底和碳化硅衬底的制造方法 [P].

本家翼 .

日本专利 :CN114026672B ,2025-03-11

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