硅基锗锡厚膜的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410123476.8

申请日：

2024-01-29

公开(公告)号：

CN118007241A

公开(公告)日：

2024-05-10

发明(设计)人：

崔金来郑军吴亦旸贺晨刘香全黄秦兴刘智左玉华成步文

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

C30B29/52

IPC分类号：

C30B23/02 H01L21/02 H01L21/324

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

肖慧

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-10	公开	公开
2024-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/52申请日:20240129

共 50 条

[1]

锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底 [P].

魏星 ;

薛忠营 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102386068B ,2012-03-21

[2]

硅基外延片生长方法 [P].

涂逵 .

中国专利 :CN109768125A ,2019-05-17

[3]

一种锗硅外延层生长方法 [P].

涂火金 .

中国专利 :CN102956445A ,2013-03-06

[4]

一种锗硅硼外延层生长方法 [P].

涂火金 .

中国专利 :CN104851783A ,2015-08-19

[5]

硅衬底GaN基LED外延生长方法 [P].

张勇 .

中国专利 :CN108110093A ,2018-06-01

[6]

定向异质外延方法及硅基锗锡合金材料 [P].

赵越 ;

李传波 ;

成步文 .

中国专利 :CN113113512A ,2021-07-13

[7]

一种生长有序硅基锗量子点的方法 [P].

叶辉 ;

张磊 ;

皇甫幼睿 ;

詹文博 .

中国专利 :CN102201491A ,2011-09-28

[8]

硅基硅/锗纳米晶粒的制备方法 [P].

沈今楷 .

中国专利 :CN100490071C ,2008-06-11

[9]

锡自催化生长的锗锡合金硅基材料及定向异质外延方法 [P].

赵越 ;

李传波 ;

成步文 .

中国专利 :CN111430221B ,2020-07-17

[10]

一种外延生长低位错密度的硅基锗的方法 [P].

陈城钊 ;

李云 ;

邱胜桦 ;

刘翠青 .

中国专利 :CN111005067A ,2020-04-14

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