锡自催化生长的锗锡合金硅基材料及定向异质外延方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010256997.2

申请日：

2020-04-02

公开(公告)号：

CN111430221B

公开(公告)日：

2020-07-17

发明(设计)人：

赵越李传波成步文

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L31028

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

吴梦圆

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20200402
2022-08-05	授权	授权
2020-07-17	公开	公开

共 50 条

[1]

定向异质外延方法及硅基锗锡合金材料 [P].

赵越 ;

李传波 ;

成步文 .

中国专利 :CN113113512A ,2021-07-13

[2]

外延掺杂的锗锡合金的形成方法 [P].

埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 ;

黄宜乔 .

中国专利 :CN104185895B ,2014-12-03

[3]

具有掺杂硅锗锡合金电极的MRAM [P].

P·哈希米 ;

A·雷兹尼塞克 .

美国专利 :CN119856601A ,2025-04-18

[4]

硅基锗锡厚膜的生长方法 [P].

崔金来 ;

郑军 ;

吴亦旸 ;

贺晨 ;

刘香全 ;

黄秦兴 ;

刘智 ;

左玉华 ;

成步文 .

中国专利 :CN118007241A ,2024-05-10

[5]

用于异质外延生长的硅衬底的制作方法、硅衬底及应用 [P].

吴启花 ;

熊敏 .

中国专利 :CN117711916A ,2024-03-15

[6]

用于沉积锡和锡合金的自催化镀液组合物 [P].

阿恩德·基利安 ;

延斯·韦格里希特 ;

伊莎贝尔-罗达·希施科恩 .

中国专利 :CN103339287B ,2013-10-02

[7]

一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法 [P].

芦红 ;

苗艺 ;

魏炼 ;

叶佳佳 ;

宋欢欢 ;

陈延峰 .

中国专利 :CN109166788A ,2019-01-08

[8]

气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 [P].

黄大定 ;

李建平 ;

高斐 ;

林燕霞 ;

孙殿照 ;

刘金平 ;

朱世荣 ;

孔梅影 .

中国专利 :CN1374686A ,2002-10-16

[9]

一种锡合金/硅/碳电极材料的制备方法 [P].

黄丽艳 ;

范美强 ;

柴源 ;

王凌鹏 ;

葛森 ;

周戬 ;

尹号 .

中国专利 :CN105470480A ,2016-04-06

[10]

一种MOF催化生长碳纳米管包覆镍锡合金电极材料及其制备方法和应用 [P].

林惠娟 ;

尚欢 ;

张小培 .

中国专利 :CN113809286A ,2021-12-17

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