外延掺杂的锗锡合金的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380015682.7

申请日：

2013-03-25

公开(公告)号：

CN104185895B

公开(公告)日：

2014-12-03

发明(设计)人：

埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯黄宜乔

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21265

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-03	公开	公开
2017-04-12	授权	授权
2015-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101608507711 IPC(主分类):H01L 21/265 专利申请号:2013800156827 申请日:20130325
2020-03-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/265 申请日:20130325 授权公告日:20170412 终止日期:20190325

共 50 条

[1]

具有掺杂硅锗锡合金电极的MRAM [P].

P·哈希米 ;

A·雷兹尼塞克 .

美国专利 :CN119856601A ,2025-04-18

[2]

一种硅锗外延层的形成方法 [P].

袁子凡 ;

李典 .

中国专利 :CN117976526A ,2024-05-03

[3]

锡自催化生长的锗锡合金硅基材料及定向异质外延方法 [P].

赵越 ;

李传波 ;

成步文 .

中国专利 :CN111430221B ,2020-07-17

[4]

外延层的形成方法 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN103871849A ,2014-06-18

[5]

掺杂区的形成方法 [P].

魏鸿基 ;

毕嘉慧 .

中国专利 :CN101236924A ,2008-08-06

[6]

掺杂轮廓的形成方法 [P].

陈逸男 ;

徐文吉 ;

叶绍文 ;

刘献文 .

中国专利 :CN103377889A ,2013-10-30

[7]

硅外延层的形成方法 [P].

田村明威 ;

冈哲史 .

中国专利 :CN100401473C ,2005-04-20

[8]

定向异质外延方法及硅基锗锡合金材料 [P].

赵越 ;

李传波 ;

成步文 .

中国专利 :CN113113512A ,2021-07-13

[9]

倒梯形锗硅的形成方法 [P].

陶芬芬 ;

张亮 ;

高海霞 .

中国专利 :CN118969732A ,2024-11-15

[10]

西格玛沟槽刻蚀方法、锗硅外延层的形成方法及PMOS器件 [P].

邱靖尧 .

中国专利 :CN110416088A ,2019-11-05

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