外延层的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210550520.0

申请日：

2012-12-18

公开(公告)号：

CN103871849A

公开(公告)日：

2014-06-18

发明(设计)人：

刘继全

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21306

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583758342 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2012105505200 申请日:20121218
2014-06-18	公开	公开
2017-06-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101752570754 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2012105505200 申请公布日:20140618

共 50 条

[1]

硅外延层的形成方法 [P].

田村明威 ;

冈哲史 .

中国专利 :CN100401473C ,2005-04-20

[2]

外延层的形成方法 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN106571287A ,2017-04-19

[3]

硅锗外延层的形成方法 [P].

何有丰 .

中国专利 :CN102479717B ,2012-05-30

[4]

一种硅锗外延层的形成方法 [P].

袁子凡 ;

李典 .

中国专利 :CN117976526A ,2024-05-03

[5]

形成外延层的方法 [P].

R·卡扎卡 ;

P·罗梅罗 ;

M·E·吉文斯 ;

C·德泽拉 .

:CN118231245A ,2024-06-21

[6]

嵌入式外延层的形成方法 [P].

陈亚旭 ;

李刚 ;

曹坚 .

中国专利 :CN115527858A ,2022-12-27

[7]

用于形成硅外延层的方法 [P].

马利克·本曼索尔 ;

让-保罗·加朗代 ;

丹尼尔·莫尔万 .

中国专利 :CN104781455A ,2015-07-15

[8]

含硅外延层的形成 [P].

叶祉渊 ;

安德鲁·拉姆 ;

金以宽 .

中国专利 :CN101548363A ,2009-09-30

[9]

含硅外延层的形成 [P].

叶祉渊 ;

安德鲁·拉姆 ;

金以宽 .

中国专利 :CN104599945B ,2015-05-06

[10]

硅外延的形成方法 [P].

姜长城 ;

花文涛 ;

俞涛 ;

孙诚 ;

张海洋 .

中国专利 :CN120690666A ,2025-09-23

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