含硅外延层的形成

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780044461.7

申请日：

2007-12-11

公开(公告)号：

CN101548363A

公开(公告)日：

2009-09-30

发明(设计)人：

叶祉渊安德鲁·拉姆金以宽

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

徐金国;王金宝

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-20	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101715468104 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2007800444617 申请公布日:20090930
2009-09-30	公开	公开
2010-01-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-03-14	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101295526202 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2007800444617 变更事项:申请人变更前:应用材料股份有限公司变更后:应用材料公司变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚变更后:美国加利福尼亚

共 50 条

[1]

含硅外延层的形成 [P].

叶祉渊 ;

安德鲁·拉姆 ;

金以宽 .

中国专利 :CN104599945B ,2015-05-06

[2]

硅外延层的形成方法 [P].

田村明威 ;

冈哲史 .

中国专利 :CN100401473C ,2005-04-20

[3]

用于形成硅外延层的方法 [P].

马利克·本曼索尔 ;

让-保罗·加朗代 ;

丹尼尔·莫尔万 .

中国专利 :CN104781455A ,2015-07-15

[4]

形成含硅外延层的方法和相关半导体装置结构 [P].

N·巴尔加瓦 ;

J·托勒 ;

J·玛格蒂斯 ;

M·古德曼 ;

R·维妮 .

中国专利 :CN108878256A ,2018-11-23

[5]

一种形成硅外延层的方法 [P].

唐兆云 ;

陆智勇 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN105702621A ,2016-06-22

[6]

硅碳外延层的选择性形成 [P].

叶祉渊 ;

乔普拉·索拉布 ;

林启华 ;

金以宽 .

中国专利 :CN101404250B ,2009-04-08

[7]

硅锗外延层的形成方法 [P].

何有丰 .

中国专利 :CN102479717B ,2012-05-30

[8]

包含硅和碳的外延层的形成和处理 [P].

邱永男 ;

金以宽 .

中国专利 :CN101192516B ,2008-06-04

[9]

外延层的形成方法 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN103871849A ,2014-06-18

[10]

形成外延层的方法 [P].

R·卡扎卡 ;

P·罗梅罗 ;

M·E·吉文斯 ;

C·德泽拉 .

:CN118231245A ,2024-06-21

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