包含硅和碳的外延层的形成和处理

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710195484.X

申请日：

2007-11-30

公开(公告)号：

CN101192516B

公开(公告)日：

2008-06-04

发明(设计)人：

邱永男金以宽

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2118

IPC分类号：

H01L2120 H01L21265 H01L21324 H01L21336 H01L218238

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101697779454 IPC(主分类):H01L 21/18 专利号:ZL200710195484X 申请日:20071130 授权公告日:20120328 终止日期:20151130
2010-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-03-28	授权	授权
2012-02-15	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101284328780 IPC(主分类):H01L 21/18 专利申请号:200710195484X 变更事项:申请人变更前:应用材料股份有限公司变更后:应用材料公司变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚州变更后:美国加利福尼亚州
2008-06-04	公开	公开

共 50 条

[1]

含硅外延层的形成 [P].

叶祉渊 ;

安德鲁·拉姆 ;

金以宽 .

中国专利 :CN104599945B ,2015-05-06

[2]

硅碳外延层的选择性形成 [P].

叶祉渊 ;

乔普拉·索拉布 ;

林启华 ;

金以宽 .

中国专利 :CN101404250B ,2009-04-08

[3]

含硅外延层的形成 [P].

叶祉渊 ;

安德鲁·拉姆 ;

金以宽 .

中国专利 :CN101548363A ,2009-09-30

[4]

使用含碳硅和锗化硅外延源/漏极的高性能应力增强金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法 [P].

德雷斯蒂·奇达姆巴拉奥 ;

奥默·多库马西 ;

陈华杰 .

中国专利 :CN101199037A ,2008-06-11

[5]

用于形成包含铝、钛和碳的层的方法和系统 [P].

陈立甫 ;

谢琦 ;

C.德泽拉 ;

P.德明斯基 ;

G.A.沃尼 ;

P.雷萨宁 ;

E.J.希罗 .

中国专利 :CN115044886A ,2022-09-13

[6]

形成具有高迁移率的金属/高K值栅叠层的方法 [P].

万达·安德雷奥尼 ;

阿莱桑德罗·C·卡莱加利 ;

埃杜瓦德·A·卡蒂尔 ;

阿莱桑德罗·库利奥尼 ;

克里斯多弗·P·德米 ;

埃夫格尼·古塞夫 ;

迈克尔·A·格里贝尤克 ;

保罗·C·杰米森 ;

拉加拉奥·加米 ;

迪亚尼·L·莱塞 ;

芬顿·R·迈克费里 ;

维加伊·纳拉亚南 ;

加罗·A·皮格尼多里 ;

小约瑟夫·F·西帕德 ;

苏菲·扎法尔 .

中国专利 :CN100416859C ,2006-01-18

[7]

形成外延层的方法和设备 [P].

P·穆尼尔－贝尔拉德 ;

M·R·J·卡伊马西 .

中国专利 :CN100442441C ,2005-10-19

[8]

硅外延层的形成方法 [P].

田村明威 ;

冈哲史 .

中国专利 :CN100401473C ,2005-04-20

[9]

用于形成包含钒和氧的层的方法和系统 [P].

G.A.沃尼 ;

R-J.张 ;

谢琦 ;

C.德泽拉 .

中国专利 :CN114990525A ,2022-09-02

[10]

用于形成包含钒和氮的层的方法和系统 [P].

G.A.沃尼 ;

R-J.张 ;

谢琦 ;

T.布兰夸特 ;

E.希罗 .

中国专利 :CN114990524A ,2022-09-02

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