含硅外延层的形成

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410771429.0

申请日：

2007-12-11

公开(公告)号：

CN104599945B

公开(公告)日：

2015-05-06

发明(设计)人：

叶祉渊安德鲁·拉姆金以宽

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101611556273 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2014107714290 申请日:20071211
2017-11-28	授权	授权
2015-05-06	公开	公开
2022-11-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20071211 授权公告日:20171128 终止日期:20211211

共 50 条

[1]

含硅外延层的形成 [P].

叶祉渊 ;

安德鲁·拉姆 ;

金以宽 .

中国专利 :CN101548363A ,2009-09-30

[2]

包含硅和碳的外延层的形成和处理 [P].

邱永男 ;

金以宽 .

中国专利 :CN101192516B ,2008-06-04

[3]

硅碳外延层的选择性形成 [P].

叶祉渊 ;

乔普拉·索拉布 ;

林启华 ;

金以宽 .

中国专利 :CN101404250B ,2009-04-08

[4]

硅外延层的形成方法 [P].

田村明威 ;

冈哲史 .

中国专利 :CN100401473C ,2005-04-20

[5]

用于形成硅外延层的方法 [P].

马利克·本曼索尔 ;

让-保罗·加朗代 ;

丹尼尔·莫尔万 .

中国专利 :CN104781455A ,2015-07-15

[6]

形成含硅外延层的方法和相关半导体装置结构 [P].

N·巴尔加瓦 ;

J·托勒 ;

J·玛格蒂斯 ;

M·古德曼 ;

R·维妮 .

中国专利 :CN108878256A ,2018-11-23

[7]

一种形成硅外延层的方法 [P].

唐兆云 ;

陆智勇 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN105702621A ,2016-06-22

[8]

氟掺杂信道硅锗层 [P].

N·萨赛特 ;

R·严 ;

J·亨治尔 ;

S·Y·翁 .

中国专利 :CN104051506B ,2014-09-17

[9]

硅锗外延层的形成方法 [P].

何有丰 .

中国专利 :CN102479717B ,2012-05-30

[10]

硅外延的形成方法 [P].

姜长城 ;

花文涛 ;

俞涛 ;

孙诚 ;

张海洋 .

中国专利 :CN120690666A ,2025-09-23

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