嵌入式外延层的形成方法

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申请号
CN202210959790.0
申请日
2022-08-11
公开(公告)号
CN115527858A
公开(公告)日
2022-12-27
发明(设计)人
陈亚旭 李刚 曹坚
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区良腾路6号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
戴广志
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
嵌入式外延层的制造方法 [P]. 
涂火金 ;
刘厥扬 ;
胡展源 .
中国专利 :CN111599764A ,2020-08-28
[2]
嵌入式外延层的制造方法 [P]. 
涂火金 ;
张瑜 .
中国专利 :CN113130322A ,2021-07-16
[3]
嵌入式外延层的制造方法 [P]. 
涂火金 ;
刘厥扬 ;
胡展源 .
中国专利 :CN111599763A ,2020-08-28
[4]
嵌入式外延层的制造方法 [P]. 
涂火金 ;
张瑜 .
中国专利 :CN113140462A ,2021-07-20
[5]
嵌入式外延层的制造方法 [P]. 
涂火金 ;
张瑜 .
中国专利 :CN113140462B ,2024-03-08
[6]
嵌入式SiP外延层的制造方法 [P]. 
涂火金 ;
郑凯仁 ;
张瑜 ;
胡展源 .
中国专利 :CN113394161A ,2021-09-14
[7]
嵌入式SiP外延层的制造方法 [P]. 
涂火金 ;
郑凯仁 ;
张瑜 .
中国专利 :CN113130323A ,2021-07-16
[8]
硅外延层的形成方法 [P]. 
田村明威 ;
冈哲史 .
中国专利 :CN100401473C ,2005-04-20
[9]
嵌入式SiP外延层的制造方法 [P]. 
涂火金 ;
郑凯仁 ;
张瑜 .
中国专利 :CN113130323B ,2024-01-19
[10]
外延层的形成方法 [P]. 
刘继全 .
中国专利 :CN103871849A ,2014-06-18