嵌入式外延层的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010473137.4

申请日：

2020-05-29

公开(公告)号：

CN111599763A

公开(公告)日：

2020-08-28

发明(设计)人：

涂火金刘厥扬胡展源

申请人：

申请人地址：

201315 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20200529
2020-08-28	公开	公开

共 50 条

[1]

嵌入式外延层的制造方法 [P].

涂火金 ;

刘厥扬 ;

胡展源 .

中国专利 :CN111599764A ,2020-08-28

[2]

嵌入式外延层的制造方法 [P].

涂火金 ;

张瑜 .

中国专利 :CN113130322A ,2021-07-16

[3]

嵌入式外延层的制造方法 [P].

涂火金 ;

张瑜 .

中国专利 :CN113140462B ,2024-03-08

[4]

嵌入式外延层的制造方法 [P].

涂火金 ;

张瑜 .

中国专利 :CN113140462A ,2021-07-20

[5]

嵌入式SiP外延层的制造方法 [P].

涂火金 ;

郑凯仁 ;

张瑜 ;

胡展源 .

中国专利 :CN113394161A ,2021-09-14

[6]

嵌入式SiP外延层的制造方法 [P].

涂火金 ;

郑凯仁 ;

张瑜 .

中国专利 :CN113130323A ,2021-07-16

[7]

嵌入式SiP外延层的制造方法 [P].

涂火金 ;

郑凯仁 ;

张瑜 .

中国专利 :CN113130323B ,2024-01-19

[8]

嵌入式外延层的形成方法 [P].

陈亚旭 ;

李刚 ;

曹坚 .

中国专利 :CN115527858A ,2022-12-27

[9]

嵌入式外延层的沟槽的形成方法 [P].

荣建 ;

姚建裕 ;

康俊龙 ;

张瑜 .

中国专利 :CN115312461A ,2022-11-08

[10]

嵌入式外延层的沟槽的形成方法 [P].

荣建 ;

姚建裕 ;

康俊龙 ;

张瑜 .

中国专利 :CN115312461B ,2024-10-29

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