嵌入式外延层的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110330203.7
申请日
2021-03-29
公开(公告)号
CN113140462B
公开(公告)日
2024-03-08
发明(设计)人
涂火金 张瑜
申请人
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
H01L21/336
IPC分类号
H01L29/78 H01L29/08 H01L29/36
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
郭四华
法律状态
授权
国省代码
上海市
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共 50 条
[1]
嵌入式外延层的制造方法 [P]. 
涂火金 ;
张瑜 .
中国专利 :CN113140462A ,2021-07-20
[2]
嵌入式外延层的制造方法 [P]. 
涂火金 ;
刘厥扬 ;
胡展源 .
中国专利 :CN111599764A ,2020-08-28
[3]
嵌入式外延层的制造方法 [P]. 
涂火金 ;
张瑜 .
中国专利 :CN113130322A ,2021-07-16
[4]
嵌入式SiP外延层的制造方法 [P]. 
涂火金 ;
郑凯仁 ;
张瑜 ;
胡展源 .
中国专利 :CN113394161A ,2021-09-14
[5]
嵌入式SiP外延层的制造方法 [P]. 
涂火金 ;
郑凯仁 ;
张瑜 .
中国专利 :CN113130323A ,2021-07-16
[6]
嵌入式SiP外延层的制造方法 [P]. 
涂火金 ;
郑凯仁 ;
张瑜 .
中国专利 :CN113130323B ,2024-01-19
[7]
嵌入式外延层的制造方法 [P]. 
涂火金 ;
刘厥扬 ;
胡展源 .
中国专利 :CN111599763A ,2020-08-28
[8]
嵌入式SiP外延层的制造方法 [P]. 
涂火金 ;
郑凯仁 ;
张瑜 ;
翁文寅 .
中国专利 :CN113130324A ,2021-07-16
[9]
嵌入式SiP外延层的制造方法 [P]. 
涂火金 ;
郑凯仁 ;
张瑜 ;
翁文寅 .
中国专利 :CN113130324B ,2024-03-08
[10]
嵌入式外延层的形成方法 [P]. 
陈亚旭 ;
李刚 ;
曹坚 .
中国专利 :CN115527858A ,2022-12-27