嵌入式外延层的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110330203.7

申请日：

2021-03-29

公开(公告)号：

CN113140462B

公开(公告)日：

2024-03-08

发明(设计)人：

涂火金张瑜

申请人：

上海华力集成电路制造有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/08 H01L29/36

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-08	授权	授权

共 50 条

[21]

FDSOI MOSFET的源漏外延层的制造方法 [P].

洪佳琪 ;

谭俊 ;

颜强 .

中国专利 :CN118057594A ,2024-05-21

[22]

嵌入式锗硅的制备方法 [P].

肖天金 ;

周海锋 ;

康俊龙 .

中国专利 :CN105590840A ,2016-05-18

[23]

嵌入式锗硅的制备方法 [P].

肖天金 ;

谭俊 ;

周海锋 .

中国专利 :CN105529247A ,2016-04-27

[24]

外延层制造方法、外延层及增大工艺窗口的超结功率器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

李宗清 .

中国专利 :CN120417452A ,2025-08-01

[25]

在复合结构上制造外延生长层的方法 [P].

B·福雷 ;

A·马尔科韦基奥 .

中国专利 :CN101925995A ,2010-12-22

[26]

具有位于下方的嵌入式抗穿通层的FinFET方法和结构 [P].

吴伟豪 ;

杨凯杰 ;

谢文兴 ;

后藤贤一 ;

吴志强 .

中国专利 :CN103531477B ,2014-01-22

[27]

一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法 [P].

任永宁 ;

葛洪磊 ;

刘依思 ;

陈宝忠 ;

刘如征 ;

张雁斌 ;

柏伟东 ;

白帅 ;

任恬 .

中国专利 :CN111519245B ,2020-08-11

[28]

改善FDSOI器件外延层缺陷的方法 [P].

彭利 .

中国专利 :CN120111957A ,2025-06-06

[29]

嵌入式OTP结构 [P].

李亮 ;

王佰胜 ;

赵新梅 .

中国专利 :CN104218038A ,2014-12-17

[30]

嵌入式碳化硅的制备方法 [P].

肖天金 ;

温振平 ;

余德钦 .

中国专利 :CN104409353A ,2015-03-11

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