一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010357763.7

申请日：

2020-04-29

公开(公告)号：

CN111519245B

公开(公告)日：

2020-08-11

发明(设计)人：

任永宁葛洪磊刘依思陈宝忠刘如征张雁斌柏伟东白帅任恬

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市雁塔区太白南路198号

IPC主分类号：

C30B2302

IPC分类号：

C30B2502 C30B2516 C30B2518 C30B2906

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

李晓晓

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-20	授权	授权
2020-08-11	公开	公开
2020-09-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 23/02 申请日:20200429

共 50 条

[1]

一种外延层生长方法及外延层 [P].

杨静雯 ;

刘勇兴 ;

周毅 ;

黄嘉宏 ;

黄国栋 .

中国专利 :CN114032611A ,2022-02-11

[2]

一种锗硅硼外延层生长方法 [P].

涂火金 .

中国专利 :CN104851783A ,2015-08-19

[3]

外延生长方法以及外延生长用衬底 [P].

中村正志 ;

栗田英树 .

中国专利 :CN100401482C ,2005-12-14

[4]

硅衬底GaN基LED外延生长方法 [P].

张勇 .

中国专利 :CN108110093A ,2018-06-01

[5]

一种锗硅外延层生长方法 [P].

涂火金 .

中国专利 :CN102956445A ,2013-03-06

[6]

一种锗硅硼外延层生长方法 [P].

禹国宾 ;

涂火金 ;

何永根 .

中国专利 :CN103000499B ,2013-03-27

[7]

衬底上外延层的生长方法及半导体结构 [P].

荣维龙 ;

李炜 ;

张昱 ;

曹亮 ;

王滔 .

中国专利 :CN119170485A ,2024-12-20

[8]

在碳化硅衬底片生长外延层的感应加热外延炉及生长方法 [P].

曾泽斌 .

中国专利 :CN118064968A ,2024-05-24

[9]

在碳化硅衬底片生长外延层的电阻加热外延炉及生长方法 [P].

曾泽斌 .

中国专利 :CN118497887A ,2024-08-16

[10]

外延衬底、外延衬底的制备方法及外延衬底作为生长外延层的应用 [P].

魏洋 ;

范守善 .

中国专利 :CN102263171A ,2011-11-30

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