在碳化硅衬底片生长外延层的电阻加热外延炉及生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410177847.0

申请日：

2024-02-08

公开(公告)号：

CN118497887A

公开(公告)日：

2024-08-16

发明(设计)人：

曾泽斌

申请人：

曾泽斌

申请人地址：

310013 浙江省杭州市西湖区灵隐街道求是村67栋1单元702室

IPC主分类号：

C30B25/08

IPC分类号：

C30B25/18 C30B29/36 C30B29/40 C30B25/20 C30B25/12 C30B25/14

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

林松海

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-16	公开	公开
2024-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/08申请日:20240208

共 50 条

[1]

在碳化硅衬底片生长外延层的电阻加热外延炉 [P].

曾泽斌 .

中国专利 :CN221956239U ,2024-11-05

[2]

用于碳化硅衬底片的电阻式加热外延炉及外延生长方法 [P].

曾泽斌 .

中国专利 :CN118109901A ,2024-05-31

[3]

在碳化硅衬底片生长外延层的感应加热外延炉及生长方法 [P].

曾泽斌 .

中国专利 :CN118064968A ,2024-05-24

[4]

在碳化硅衬底片生长外延层的感应加热外延炉 [P].

曾泽斌 .

中国专利 :CN221956238U ,2024-11-05

[5]

用于碳化硅衬底的感应式加热外延炉及外延生长方法 [P].

曾泽斌 .

中国专利 :CN118186575A ,2024-06-14

[6]

用于碳化硅衬底的外延生长室 [P].

曾泽斌 .

中国专利 :CN119465391A ,2025-02-18

[7]

碳化硅外延片的生长方法及碳化硅外延片 [P].

张士良 ;

冯尹 ;

张鹏 ;

马万里 ;

钟泳生 .

中国专利 :CN120967508A ,2025-11-18

[8]

碳化硅外延生长环和碳化硅外延生长装置 [P].

丁昌钊 ;

巩泉雨 ;

区灿林 ;

谢春林 ;

周维 .

中国专利 :CN222861711U ,2025-05-13

[9]

碳化硅外延片生长方法 [P].

马爽 ;

韩景瑞 ;

丁雄傑 ;

李锡光 .

中国专利 :CN119800499A ,2025-04-11

[10]

碳化硅的外延生长方法 [P].

伊藤涉 ;

蓝乡崇 ;

藤本辰雄 .

中国专利 :CN107075728A ,2017-08-18

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